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美光科技推出第六代10nm級LPDDR5x內(nèi)存:速度達10.7Gbps

2025-06-05 來源:電子工程專輯
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關(guān)鍵詞: 美光科技 1γ LPDDR5x內(nèi)存 數(shù)據(jù)傳輸速率 功耗 厚度

在性能與速度上,美光科技的1γ LPDDR5x內(nèi)存實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率,這一速度在移動設(shè)備中屬于頂級水平。

近日,美光科技宣布,率先推出了基于第六代10nm級制程(美光內(nèi)部命名為1γ)的LPDDR5x內(nèi)存,其數(shù)據(jù)傳輸速率可達10.7Gbps(較準確值應(yīng)為 10667MT/s),并且在功耗和厚度方面也實現(xiàn)了顯著的優(yōu)化,將加速旗艦智能手機上的AI應(yīng)用,帶來更好性能和能效提升。

在性能與速度上,美光科技的1γ LPDDR5x內(nèi)存實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的10.7Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率,這一速度在移動設(shè)備中屬于頂級水平。這一性能提升不僅滿足了AI應(yīng)用對高帶寬內(nèi)存的需求,也為未來更復(fù)雜的計算任務(wù)提供了支持。

同時,與上一代1β產(chǎn)品相比,1γ LPDDR5x在功耗方面降低了20%。這種能效的提升對于移動設(shè)備來說尤為重要,因為它有助于延長電池續(xù)航時間,同時減少發(fā)熱問題。

此外,1γ LPDDR5x內(nèi)存模塊的厚度僅為0.61mm,比上一代1β產(chǎn)品降低了14%,并且比競爭對手的產(chǎn)品薄6%。這一改進為超薄和折疊屏智能手機的設(shè)計提供了更大的空間優(yōu)化余地。
1γ制程是美光第一代采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)的DRAM內(nèi)存工藝,此前已在DDR5產(chǎn)品中應(yīng)用。

隨著高能耗的移動 AI 工作負載越來越多地在設(shè)備上而不是在云端處理,低功耗芯片對于智能手機、平板電腦和筆記本電腦等需要在執(zhí)行 AI 計算時節(jié)省電量的設(shè)備至關(guān)重要。而美光的1γ技術(shù)推動了下一代內(nèi)存創(chuàng)新,可解決未來應(yīng)用面臨的問題。

目前,美光正向指定合作伙伴提供16GB封裝容量的樣品,并計劃在未來推出從8GB到32GB的多種容量選項。這些內(nèi)存預(yù)計將在2026年的旗艦智能手機上搭載。

實際上,三星也在2024年推出了10.7Gbps的LPDDR5X內(nèi)存,采用12納米級工藝,性能比其第一代產(chǎn)品提升了25%。盡管三星在速度上領(lǐng)先,但美光的1γ制程在能效和厚度方面具有明顯優(yōu)勢。

責編:Jimmy.zhang



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