7月9日，JEDEC發(fā)布最新的LPDDR6標準 JESD209-6。該標準旨在顯著提升移動設(shè)備和人工智能等應(yīng)用場景的內(nèi)存速度與效率，是內(nèi)存技術(shù)的重大進步。

LPDDR6在性能方面進行了多項優(yōu)化。首先，它采用了雙子通道架構(gòu)，每個子通道包含12條數(shù)據(jù)信號線（DQ），并支持32字節(jié)和64字節(jié)的突發(fā)訪問，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)撵`活性和效率。此外，LPDDR6的起步頻率為10667Mbps，最高可達14400Mbps（即14.4GHz），相比上一代LPDDR5X的最高9600Mbps，性能提升了約1.5倍。同時，LPDDR6的位寬也從16bit提升至24bit，這意味著在四通道內(nèi)存的手機中，內(nèi)存帶寬將從64bit升級到96bit，八通道筆記本電腦的帶寬也將從128bit升級到192bit，從而顯著提升顯存帶寬和整體性能。

在能效方面，LPDDR6進一步降低了電壓和功耗，采用VDD2供電，并強制要求VDD2采用雙電源設(shè)計，以減少功耗。此外，LPDDR6還引入了交替時鐘命令輸入、低功耗動態(tài)電壓頻率吊證（DVFSL）等節(jié)能特性，能夠在低頻率運行時減少VDD2供電，從而節(jié)省功耗。同時，LPDDR6還支持動態(tài)效率模式，適合低功耗、低帶寬場景。

在安全性與可靠性方面，LPDDR6也進行了多項改進。首先，它支持每行激活計數(shù)（PRAC），以確保DRAM數(shù)據(jù)的完整性。其次，LPDDR6引入了隔離元模式（Carve-Out Meta），通過為關(guān)鍵任務(wù)分配特定內(nèi)存區(qū)域，提高整體系統(tǒng)可靠性。此外，LPDDR6還支持可編程鏈路保護方案、片上糾錯碼（ECC）、命令/地址（CA）奇偶校驗、錯誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測試（MBIST），以增強錯誤檢測能力和系統(tǒng)可靠性。

LPDDR6的發(fā)布將為移動設(shè)備和人工智能等多種應(yīng)用場景帶來顯著的性能提升。據(jù)悉，三星計劃在2025年下半年量產(chǎn)新一代LPDDR6內(nèi)存；SK海力士和長鑫存儲也有望在年內(nèi)或明年初實現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著在今年下半年到明年上半年發(fā)布的新旗艦手機中，我們有望看到全新的LPDDR6內(nèi)存，搭配新一代旗艦芯片，帶來更強的性能表現(xiàn)。