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JSM5109B MAX250V 1.2A單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

2025-07-29 來源: 作者:深圳市杰興偉業電子有限公司 原創文章
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關鍵詞: JSM5109B 功率MOSFET驅動芯片 高低側驅動 產品特性 應用范圍

JSM5109B

在工業控制、電機驅動、逆變器設計等場景中,功率器件驅動芯片的穩定性與兼容性直接影響系統性能。當你還在為 LM5019B 的采購成本、供貨周期發愁時,JSM5019B來了 —— 這款由 杰盛微推出的高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片,不僅完美兼容 LM5019B,更在性能與可靠性上實現升級,為你的設計提供高性價比替代方案!


一、概覽

     JSM5109B是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。JSM5109B邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL 邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區邏輯。

        JSM5109B其浮動通道可用于驅動高壓側 N 溝道功率 MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達 250V,該浮動通道需要額外的自舉電路支持。另外,JSM5109B的高側與低側均包含有欠壓保護功能。JSM5109B采用SOP-8封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作



二、產品特性

  • 自舉工作的浮地通道

  • 最高工作電壓為+250V

  • 兼容 3.3V, 5V 和 15V 輸入邏輯

  • dVs/dt 耐受能力可達±50 Vins

  • Vs 負偏壓能力達-9V

  • 柵極驅動電壓從6V到 20V

  • 集成欠壓鎖定電路

  • --欠壓鎖定正向閩值 5.5V

  • --欠壓鎖定負向閩值 5V

  • 防直通死區邏輯

  • --死區時間設定200ns

  • 芯片傳輸廷時特性

  • --開通/關斷傳輸延時 Ton/Toff =150ns/140ns

  • --延遲匹配時間 50ns

  • 寬溫度范圍-40°C~125°C

  • 輸出級拉電流/灌電流能力 1.2A/1.5A

  • 符合 RoSH 標準

  • SOIC8 (S)

三、應用范圍

  • 電機控制

  • 空調/洗衣機

  • 通用逆變器

  • 微型逆變器驅動

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四、技術參數詳解:硬核實力看得見

1. 極限工作范圍

  • 超過極限最大額定值可能造成器件永久性損壞。所有電壓參數的額定值是以 VSS 為參考的,環境溫度為 25℃。

2. 推薦工作范圍:

  • 為了正確地操作,器件應當在以下推薦條件下使用。Vs和 VSS 的偏置額定值是在電源電壓為 15V 時進行測量的,無特殊說明的情況下,所有電壓參數的額定值是以 VSS為參考的,環境溫度為25℃。


五、引腳功能描述

六、功能框圖



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