MDD辰達半導體-瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一類專門用于吸收瞬態(tài)過電壓、保護電路中敏感元件的器件。它通過在過壓瞬間迅速擊穿導通，將能量分流至地，從而限制電壓尖峰幅度。許多工程師在使用過程中常常會問：如果系統(tǒng)多次遭受浪涌沖擊，TVS的參數(shù)會不會發(fā)生漂移？它還能保持原有的防護性能嗎？

一、TVS的工作機理與應(yīng)力積累

TVS在浪涌事件中承受的是極高的瞬態(tài)電流和功率。雖然每次沖擊的持續(xù)時間極短（通常是微秒級），但能量非常集中。器件內(nèi)部PN結(jié)在導通時會出現(xiàn)大電流密度和瞬態(tài)高溫，材料和結(jié)構(gòu)都會受到應(yīng)力沖擊。單次沖擊如果在器件額定范圍內(nèi)，TVS能夠恢復(fù)正常狀態(tài)。但當浪涌作用多次疊加時，熱應(yīng)力和電應(yīng)力會逐漸積累，可能引發(fā)性能退化。

二、典型的參數(shù)漂移表現(xiàn)

在FAE現(xiàn)場經(jīng)驗中，多次浪涌后，TVS常見的漂移表現(xiàn)主要有：

反向漏電流增加：原本在額定工作電壓下的微安級漏電流，可能逐漸上升到幾十微安甚至更高。

擊穿電壓下降：由于PN結(jié)結(jié)構(gòu)局部損傷，器件可能在低于額定擊穿電壓的條件下提前導通。

鉗位電壓升高：結(jié)電阻上升導致在相同浪涌電流下的電壓被拉高，保護效果減弱。

完全失效：在極端情況下，TVS可能表現(xiàn)為開路（失去保護作用）或短路（直接擊穿損壞），影響整個系統(tǒng)工作。

這些變化屬于參數(shù)漂移的典型體現(xiàn)。雖然器件不一定立即失效，但其保護能力已經(jīng)下降，長期使用存在風險。

三、影響漂移程度的因素

浪涌強度與次數(shù)：遠低于器件額定功率的浪涌，即使次數(shù)較多，也不會造成明顯漂移；但接近額定值的多次沖擊，累積效應(yīng)顯著。

浪涌波形：10/1000μs、8/20μs等不同脈沖波形對應(yīng)的能量差異很大，長脈沖對TVS的熱沖擊更明顯。

散熱與PCB設(shè)計：若布局合理、熱阻低，器件受損會相對緩解。反之，過孔少、銅皮面積不足，溫升更高，漂移加劇。

器件品質(zhì)與余量設(shè)計：不同廠家、不同系列的TVS，其結(jié)結(jié)構(gòu)和工藝差異會直接影響抗疲勞能力。設(shè)計中若沒有留足安全余量，漂移更容易發(fā)生。

四、工程設(shè)計中的應(yīng)對策略

為了減小參數(shù)漂移對系統(tǒng)可靠性的影響，可以從以下幾方面考慮：

合理選型：在選型時，應(yīng)確保TVS的額定浪涌能力高于實際需求至少2倍裕量，而不是僅僅滿足一次性測試要求。

多級防護：在電源入口處可使用MOV、GDT等器件分擔大能量，TVS作為快速響應(yīng)的二級或三級防護，提高整體壽命。

定期驗證：在關(guān)鍵應(yīng)用（如通信基站、電力設(shè)備）中，建議在實驗階段模擬多次浪涌，評估器件性能是否有明顯漂移。

加強PCB散熱：優(yōu)化銅皮面積、布置散熱過孔，降低結(jié)溫，提高抗多次浪涌能力。

綜上所述，MDD-TVS在多次浪涌作用后確實可能發(fā)生參數(shù)漂移，其表現(xiàn)包括漏電流上升、擊穿電壓變化、鉗位能力下降等。漂移程度取決于浪涌強度、作用次數(shù)、波形以及器件本身的品質(zhì)與設(shè)計余量。在系統(tǒng)設(shè)計中，如果僅考慮一次性測試通過，而忽視長期累積效應(yīng)，就可能埋下隱患。因此，工程師在使用TVS時，不僅要關(guān)注初始參數(shù)，更要重視多次浪涌條件下的穩(wěn)定性和可靠性。