DB207S_DBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DBS 類(lèi)別：整流橋 最小包裝：1500圓盤(pán) 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@1.5A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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描述: 本款高性能整流橋采用先進(jìn)的DBS封裝技術(shù)，專(zhuān)為高效率、高穩(wěn)定性的電路設(shè)計(jì)。其額定電壓高達(dá)VR1000V，確保在嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定工作。在1.5A的工作電流下，正向壓降僅為VF1.1V，有效降低功耗，提升系統(tǒng)能效。此外，擁有2A的輸出電流能力（IO: 2A），充分滿(mǎn)足大電流應(yīng)用需求，是各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換、逆變器等電子設(shè)備的理想選擇。這款半導(dǎo)體器件以卓越性能與高效節(jié)能，助力您的設(shè)備運(yùn)行更順暢，表現(xiàn)更出色。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話(huà)：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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