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消息稱臺積電、三星3nm制程工藝在量產、技術上或遇到了難題
臺積電先進工藝遇難題,蘋果明年 iPhone 新機恐難采用 3nm 芯片
微結構不均勻性(負載效應)及其對器件性能的影響:對先進DRAM工藝中有源區形狀扭曲的研究
蘋果出局!Intel或已奪得臺積電3nm工藝產能
中芯國際vs華虹半導體:收入靠落后技術,先進工藝還差很遠
搶先蘋果!英特爾芯片采用臺積電3nm制程工藝,明年7月量產
Intel 20A工藝有望提升CPU超頻能力
中芯國際左右為難:成熟工藝競爭大 先進工藝前景未知
intel要逆襲,第一步是學三星臺積電,工藝制程“造假”?
中芯國際:FinFET工藝已量產 產能1.5萬片
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