眾所周知，雖然目前三星、臺(tái)積電的工藝進(jìn)入了4nm，但比較下來，三星的水平還是差一些的，最直觀的就是5nm工藝時(shí)，雙方的晶體管密度相差35％左右。

另外從三星、臺(tái)積電分別代工的高通驍龍8、驍龍8＋就可以看出來，臺(tái)積電代工的明顯性能更強(qiáng)，同時(shí)功耗更低。

搞得nvidia都表示，下一代40系列顯卡，不與三星合作，要與臺(tái)積電合作，基于臺(tái)積電的N4工藝了。

這對(duì)于三星而言，確實(shí)是壓力山大。所以三星有了一個(gè)非常激進(jìn)的計(jì)劃，那就是在3nm時(shí)，一定要領(lǐng)先臺(tái)積電，實(shí)現(xiàn)反超。

更重要的是，3nm時(shí)，三星要采用更先進(jìn)的GAAFET晶體管技術(shù)，拋棄之前的FinFET晶體管技術(shù)。

而GAAFET晶體管技術(shù)確實(shí)比FinFET更先進(jìn)，相比于之前的FinFET技術(shù)，GAAFET工藝下，加到晶體管上的電壓（閾值電壓）變小，這樣可以讓晶體管的漏電功率也變小（芯片的功耗有50％＋為漏電功耗），一旦漏電功耗小了，整體功耗就變小后，這樣芯片的發(fā)熱會(huì)變得更小，芯片的效率更高，性能更棒。

而為了能夠領(lǐng)先臺(tái)積電，三星表示要在2022年二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前離2季度結(jié)束已經(jīng)只有一周了，也就是說，最晚下周三星就會(huì)正式量產(chǎn)3nm。

雖然三星沒有表示GAAFET工藝下的3nm，與現(xiàn)在的4nm相比，有多少的提升，但與之前的7nm，還是比較了一番的。

根據(jù)之前的數(shù)據(jù)，三星稱與7nm 工藝相比，芯片面積減少35％，性能提高 30％ 的性能，功能降低 50％。

由于之前三星已經(jīng)陷入了良率困境，據(jù)稱4nm只有35％，低到高通、nvidia都受不了，三星內(nèi)部都在徹查用于提升良率的資金到哪里去了。

所以3nm工藝，對(duì)三星而言相當(dāng)重要，當(dāng)年三星在14nm的FinFET晶體管技術(shù)上，實(shí)現(xiàn)了對(duì)臺(tái)積電的反超，所以拿到了蘋果的訂單。

只不過后來三星沒有穩(wěn)住，讓臺(tái)積電又追上甚至超過了，這次三星也想像14nm一樣，實(shí)現(xiàn)反超，從而翻身，就看這一把GAAFET工藝能不能hold住了。