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干掉臺積電,三星迎來了第二次機會

2022-07-25 來源:互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 臺積電 高通 芯片

在芯片代工領域,三星想要干掉臺積電的目標,已經提出很久了,最早可以追溯到2009年,當時三星就有一個秘密計劃,稱之為Kill Taiwan(干掉臺灣),其實就是干掉臺積電。

而在2015年的時候,其實三星找到了一次機會,那一年三星在梁孟松的主導下,從28nm跳過20nm,率先量產了14nm FinFET芯片,依靠了臺積電至少半年。

鑒于三星在技術上確實是越越了臺積電,于是蘋果也將自己的A9芯片,分出一半交給三星代工,采用三星14nm工藝,另外一半則是臺積電16nm,這搞得臺積電壓力山大。

不過后來,隨著A9芯片發布,大家發現雖然三星14nm看起來更領先,但實際使用的效能與良率輸給臺積電。

所以到A10時,蘋果還是將訂單給了臺積電,放棄了三星。

事實上,如果三星在10nm時,還能夠領先臺積電,并保持好的功耗等,還是有機會超過臺積電的,畢竟14nm時已經領先了啊。

而在10nm上時,三星也是領先臺積電,率先推出了10nm。但是,可能由于技術問題,10nm芯片變成了火龍,高通835就是最好的例子。

于是三星超過臺積電的第一次機會,就這樣失去了,最后到7nm、5nm,三星都在技術上,不如臺積電。

不過,今年三星又迎來了第二次干掉臺積電的機會。

在3nm工藝上,三星領先臺積電,再次率先實現量產了,就如當初的14nm FinFE工藝一樣。并且三星率先實現了GAAFET晶體管技術的量產。

按照三星的說法,3nm芯片相比于自己的5nm芯片,性能提升了23%,功耗降低了45%,芯片面積縮小了16%。

而第二代3nm工藝,功耗降低達 50%,性能提高 30%,面積減少 35%,比第一代又提升很多。

很明顯,三星只要保證良率,在能耗上表現出色,同時產能跟上來,那么這一次是非常有可能干掉臺積電的。

當然,3nm還只是開端,更關鍵的是2nm,畢竟工藝的競爭,一代還不夠,兩代保持住領先,基本上有戲了。

所以為了干掉臺積電,三星還為自己找了一個最強大的盟友,那就是美國,日本將與美國合作,最早于2025年在本土量產2納米芯片

接下來就看三星能不能好好利用住自己在3nm上領先的優勢,再在2nm時把優勢擴大了,如果能,那么非常有可能真的要把臺積電干掉了。



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