SK 海力士擬年內試產 238 層 NAND 閃存
2022-07-29
來源:互聯網
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SK 海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露,計劃在年內完成 238 層 NAND 試產,并在 2023 年上半年實現量產。
針對美光近期量產 232 層 NAND 的動態,海力士方面表示各家廠商產品發布節奏不同,存儲市場目前應專注于提高盈利能力,海力士的目標是實現行業最高水平的盈利能力。
公司方面還表示,計劃今年年底實現主力產品 176 層 4D NAND 以晶圓形式出貨占比 70%,以進一步提升毛利率。
針對 DRAM 市場行情,海力士方面表示,盡管目前 DRAM 的平均售價(ASP)走低,但成本下降足以彌補 ASP 變化,公司方面預計今年 DRAM 出貨量將增加約 10%,NAND 閃存出貨量增加 20%。
