美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司” 已于 16 日在該市廣島工廠啟動最高端的 DRAM 量產(chǎn)。

據(jù)美光介紹，1β 技術(shù)可將能效提高約 15%，內(nèi)存密度提升 35% 以上，單顆裸片容量高達 16Gb。

1β 制程技術(shù)能實現(xiàn)比以往更低的每比特功耗，為智能手機提供了目前市場上最節(jié)能的內(nèi)存技術(shù)。它將助力智能手機制造商推出更長續(xù)航的設(shè)備 —— 消費者在使用高能耗、數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用時，延長電池續(xù)航時間將至關(guān)重要。

全新 JEDEC 增強型動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)擴展核心（eDVFSC）技術(shù)使基于 1β 的 LPDDR5X 更加節(jié)能。在高達 3200 Mbps 的雙倍頻率層上添加 eDVFSC，可改善節(jié)能控制，從而基于獨特的終端用戶模式實現(xiàn)更低功耗。

最后，美光表示，美光于未來的一年中將在諸如嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費類產(chǎn)品、工業(yè)和汽車等其他應(yīng)用中量產(chǎn) 1β 節(jié)點，推出包括顯示內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品。

據(jù)了解，廣島工廠是美光在 2013 年收購爾必達時所獲，于 2019 年建設(shè)新廠房等，致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品 DRAM 的生產(chǎn)。日本共同社消息指出，日本政府 9 月為夯實其半導(dǎo)體生產(chǎn)基礎(chǔ)，宣布將最多補助 464 億日元用于廣島工廠增強設(shè)備。

內(nèi)存廠商上一代 DRAM 芯片通過為 1X、1Y、1Z 區(qū)分工藝，1Xnm 工藝相當于 16-19nm 級別、1Ynm 相當于 14-16nm，1Znm 工藝相當于 12-14nm 級別。據(jù)業(yè)界消息，最新的 1α、1β 和 1γ 可能分別相當于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。