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我國又一光刻機成功出口海外!芯片之難難于光刻機?換條大路一樣也走得通

2022-11-28 來源:網絡整理
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關鍵詞: ASML 光刻機 芯片

據芯碁微裝官網消息,公司MAS6直寫光刻設備近日成功銷往日本市場。MAS6直寫光刻機適用于IC封裝載板量產的數位成像系統,采用DMD技術,可實現6μm的高度解析。

據中國臺灣電路板協會(TPCA)發布的數據,目前HDI板、柔性板等中高端產品對精度要求已達 15-30μm,IC載板對技術要求最高,最小線寬要求達5μm。而日本占據全球載板先進制造的前列,引導著全球IC載板的發展方向,此次芯碁微裝直寫光刻設備成功進入日本市場,證明了芯碁微裝在該領域的競爭力。



據介紹,芯碁微裝MAS6直寫光刻機設備是專門面向IC載板(FC-BGA基板、FC-CSP基板)領域量產L/S:10/10μm節點的客戶需求進行開發。設備采用DMD直接成像技術,配合合理的光路設計,使得解析精度可至6/6μm;采用高精度的精密位移平臺系統,配合高精度的環境溫度控制,使得對位精度達到5μm。同時每個光路均配備主動聚焦模塊,使得曝光過程中光路跟隨基板的高度起伏,始終工作在最佳焦面,保證精密解析的生產良率。設備內部運動拖鏈均采用無塵拖鏈,保證長時間的使用不產塵、掉屑,進一步保證良率。


制造光刻機有多難

因精度之高,光刻之“刻”靠普通刀子自然實現不了,于是要以“光”為刀進行雕刻,目前的精度7nm,相當于把病毒大卸八塊,把一根頭發絲劈成幾萬份。

名為“光刻機”,實則“印鈔機”!每生產一臺就可售1.2億美元。有工程師曾說:“光刻機的一個小零件,工程師都需要調節高達十年之久,尺寸的調整更要高達百萬次以上。”還有傳言,就算拿出圖紙,也根本造不出來。

而且每年的生產力很有限,只能生產20多臺,物以稀“更貴”。只要出廠一臺光刻機,都被全球芯片制造商盯得很緊,誰“搶”得到了最新的光刻機,也就意味著誰更有可能造出更高端芯片,掌握科技時代命脈。

有人賦予其一個極美的稱呼,“半導體行業皇冠上的明珠”?;使谏献畲笞钪行牡拿髦?,僅此一顆,也說明了光刻機在芯片制造中無可爭議的地位。


鎖喉之痛

豪不夸張的說,“芯片”成就了現代社會登上科技之巔。但自然,高處不勝寒。當下我國,“芯片之困”成了必須直面的問題。

光刻機無疑是芯片制造設備中最重要的設備之一。光刻設備對光學技術和供應鏈要求極高,擁有極高技術壁壘,已成為高度壟斷行業。

中國在前沿科技領域起步較晚,甚至連想法的構思都比西方國家晚了大幾十年,學如逆水行舟,不進則退,科研也是一樣,我們如果不進步,和別人的距離就會越來越遠,到最后想追都追不上,只好被別人“卡脖子”。

光刻機的水平直接決定了中國芯片制造的水平,它的突破無疑代表了中國芯片制造的水平。要想做到光刻機國產替代,前路漫漫。“除了臥薪嘗膽,加強研發,別無其他捷徑?!?/span>




條條大路通羅馬

當前先進芯片制造工藝獲得業界的廣泛關注,在ASML的EUV光刻機支持下延續了摩爾定律,然而到了如今硅基芯片已逐漸達到了物理極限,全球眾多芯片企業紛紛開發新技術試圖繞開EUV光刻機的限制。

對于現有的硅基芯片,全球最大的芯片制造企業臺積電研發先進工藝已遇到了巨大阻力,3nm工藝已延遲了一年,在今年三季度研發成功后卻被蘋果認為用它試產的A16處理器性能不達標,成本卻太高,最終蘋果舍棄了3nm工藝,導致臺積電的3nm工藝面臨無客戶采用而沒有量產。

在先進工藝研發難度、成本高的情況下,臺積電如今也開始轉向以封裝技術提升現有工藝的性能以滿足芯片企業的要求,臺積電已聯合了19家芯片企業成立“3D Fabric ”聯盟,以先進的封裝技術提高5nm、7nm等現有工藝的性能,甚至可以提升無需EUV光刻機的7nm、16nm工藝芯片的性能。

臺積電是ASML的第一大客戶之一,更是EUV光刻機的主要買家,在臺積電給了ASML一記重錘之后,ASML一直順從的美國卻又給了它一記重錘。美國芯片企業美光表示繞開EUV光刻機研發的10nm級別的1β工藝提升了存儲密度30%,而功耗降低了20%,更重要的是成本大幅下降,這主要是因為EUV光刻機比美光現在采用的EUV光刻機貴了2-3倍。

其次是美國光刻機企業Zyvex公司研發電子束光刻機,繞開了ASML的EUV光刻機,并且將先進工藝提升到0.768納米,打破了ASML尚未量產的第二代EUV光刻機的極限,為芯片制造開辟了新的道路,如此一來美國芯片企業未來很可能不再采購ASML的EUV光刻機。

臺積電和美國芯片企業都在舍棄ASML的EUV光刻機,ASML終于開始重新將目光放在中國市場,近期表示將大舉擴張光刻機的產能,EUV光刻機產能將提升到90臺,DUV光刻機產能增加至600臺,然而它遲遲未能對中國自由出貨,而中國芯片已經等不及了。



中國芯片制造企業以現有的DUV光刻機將芯片制造工藝推進至7nm,國內的芯片封裝企業通富微電等又研發了5nm芯粒封裝技術,如此國產芯片可望提供接近5nm工藝性能的芯片,對ASML的EUV光刻機需求迫切性下降。

在現有芯片技術之外,中國還在加緊開發量子芯片、光子芯片、石墨烯芯片等技術,不少國內芯片企業都公布了它們的相關專利,顯示出中國在先進芯片技術方面的突破,其中光子芯片更是中國最快實現商用的技術。

早前中國一家企業就被媒體報道已籌建全球第一條光子芯片生產線,預計最快在明年量產,一旦光子芯片實現商用,那將徹底革新當下的芯片技術,光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍,功耗則只有硅基芯片的千分之一,具有廣闊的應用前景。

這一切無不顯示出全球芯片行業都在繞開成本昂貴的EUV光刻機,降成本已成為芯片行業的共識,可以說以獨有的先進EUV光刻機稱霸全球芯片制造行業的ASML已到了落幕的時候,尤其是ASML一直順從的美國繞開EUV光刻機更是給它重擊,ASML的艱難日子或許正在到來。



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