眾所周知，芯片問題不僅是華為當下面臨的困難，也是我國亟需解決的問題。事實上，早在華為遭遇“卡脖”的時候，華為任正非就說過，國內可以設計出頂尖的芯片，而是因為缺少EUV光刻機，設計出來的高端芯片無法完成制造。

要知道，高端芯片與成熟芯片的分水嶺是7nm工藝，而EUV光刻機作為7nm及以下制程必須用到的核心設備，在全球范圍內只有ASML一家可以生產出來。因為其使用的有美國的光源技術及相關元器件，所以受禁令影響，不能向中企供貨。

然而，令ASML沒有想到的是，近期老美再次向荷蘭方面施壓，讓其擴大光刻機出貨范圍，把DUV光刻機也列入禁令范圍內。但ASML這次卻沒有再像之前那樣“乖乖聽話”了，而是選擇“硬剛”老美，稱其是一家歐洲公司，DUV光刻機作為已經成熟的設備，不在禁令之內，將會繼續向中企供貨。

其實ASML有這樣的態度也是正常的，EUV和DUV這兩種光刻機作為ASML重要的營收來源，而中國是全球最大的光刻設備消費市場之一，更是ASML主要布局的市場。另外，近期全球市場傳來的消息，是ASML“硬剛”老美的重要因素，也是ASML哀愁的開始。

首先，美光宣布采用1-beta制造工藝繞開EUV光刻機制造出了DRAM高性能芯片，測試數據顯示，該芯片在能效和儲存密度上均得到明顯的提升，分別為25%和30%，更為關鍵的是功耗大幅降低20%。現在已經處于技術測試階段，一旦通過測試，就可以進行量產。

更為關鍵的是據美媒報道，Zyvex Labs公司推出了精度也遠超EUV光刻機的全球分辨率最高的亞納米分別系統，可以繞開EUV光刻機制造出0.768nm的芯片。

其次，臺積電牽頭聯合三星記憶本、SK海力士等19家芯片巨頭成立了“3D Fabric”聯盟，其目標是研究3D封裝技術，使其達到成熟化標準。并且該封裝技術已經得到AMD的驗證，在不依靠EUV光刻機的前提下，提升了芯片的性能。

要知道，臺積電是全球芯片代工領域的“老一”，擁有80臺EUV光刻機，如今也在尋求繞開EUV光刻機的方法，這才是令ASML最為擔心的地方。

另外，日本鎧俠和佳能聯合推出了納米壓印微影技術，與目前制造高端芯片需要的主流EUV光刻機相比，成本降低40%左右，預計2025年實現5nm芯片工藝的量產。

最重要的是，國內首條光子芯片生產線已經在建設階段，預計在2023年可以建成投產，光子芯片的制造完全不需要EUV光刻機的。國內封測大廠通富微電前不久宣布突破了5nm芯粒技術；此外，華為也申請了超導量子芯片專利。

值得注意的是光子芯片、芯粒技術，還是量子芯片，這些都是不需要EUV光刻機。國內完全可以在這些方面另辟蹊徑，實現高端芯片的國產制造。

不管是美光的1-beta工藝、臺積電的3D封裝技術以及日本佳能推出的納米壓印微影技術和國內另辟蹊徑取得的技術突破，均已表明高端芯片的制造。這也意味著ASML哀愁的開始，EUV光刻機不再是唯一選擇。

如今，全球半導體格局正在發生微妙的變化，而國產芯片正處于突破技術壁壘的關鍵時期，國內企業要做的就是堅持自主研發，一方面繼續對傳統的EUV光刻機技術進行攻克，另一方面在另辟蹊徑的道路上技術加大研究，只有掌握核心技術，才能在半導體行業進行大“洗牌”的時候掌握主動權。

要始終明白，在國產芯片崛起的道路上，要放棄一切幻想，拋開一切雜念，早日突破技術封鎖，才能擺脫被“卡脖”的命運，讓別人都不敢在欺負我們。