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用14/28nm工藝做出7nm芯片的性能,是中國芯接下來要努力的方向

2023-02-02 來源: 互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 光刻機 半導體 英特爾 TSMC

美國對中國的芯片制裁,近日又傳出了新消息,那就是美國已經聯合上了荷蘭和日本,就限制向中國出口先進芯片制造設備達成協議。

中間會涉及到ASML、尼康、東京電子等企業的設備產品,主要是光刻機、半導體材料等等,特別是14nm及以下的設備、材料不準賣給中國廠商。

事實上,大家都清楚,美國的目標很直白,就是要鎖死我們的芯片工藝在14/16nm,不讓我們進入16/14nm以下先進邏輯制程,聯合荷蘭、日本的目的也是希望這個目標能順利實現。

這樣中國的芯片能力,就只能停留在成熟(落后)階段,這樣中國就得一直依賴美國的芯片,除了花巨資進口外,還要被美國卡脖子。

那么如何在當前這種困難局勢下,進行突破?方向很簡單,那就是國產供應鏈進行突破,比如實現EUV光刻機,實現其它半導體設備、半導體材料的量產,達到更先進的工藝,比如7nm、5nm等,這樣封鎖就不攻自破了。

但大家都清楚,這種突破不是短時間之內能夠實現的,得集3年、5年、甚至10年之功才行,所以期待國產供應鏈短時間內替代,是不可能做到的。

那么接下來,中國芯的方向,則是利用現在已經擁有的14nm/28nm工藝,來實現7nm的性能, 甚至達到5nm、3nm這樣的性能。

估計會有網友認為,這怎么可能?如果28nm/14nm能實現7nm的芯片,那還要7nm工藝做什么?

先別急著下結論,用28nm/14nm工藝,實現現有的7nm芯片的水平,并不是天方夜談,有幾種方式的。

比如用新的材料,比如碳化硅,碳基等之前已經有科學家驗證過,如果用碳基芯片,40nm就能達到7nm的性能水平。

另外是在芯片的工藝、架構上下功夫,進行創新,此外還可以用小芯片(Chiplet)的技術,進行芯片堆疊等。

還可以從芯片的功耗、尺寸等方面出發,盡可能的壓榨出當前我們掌握的14nm/28nm工藝的極限,就像intel打磨14nm工藝就好幾年,還讓intel的14nm芯片,也不輸給AMD的7nm芯片,這是一樣的道理。

當然,要實現這個不容易,但也不是沒有可能的,你覺得呢?畢竟現在沒有更好的路可走,我們只能基于現有的已經掌握的技術,來實現更大的可能性。



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