眾所周知，美國最近已經(jīng)聯(lián)手荷蘭、日本，對中國芯進行了全面圍堵，目標是卡死中國芯片工藝制程在14nm，不準再前進。

實話實說，目前的形勢對我們非常不利，ASML的EUV光刻機買不到，能用于7nm工藝的浸潤式光刻機，ASML、尼康也不能賣，只能賣出14nm以上工藝的光刻機。

而國產(chǎn)的光刻機，分辨率還在90nm，要達到14nm以下，估計還得非常長的時間。

所以很多人認為，在硅基芯片上，在短時間內(nèi)追上甚至超過美國，基本上不太可能了，再加上硅基芯片，已經(jīng)快要達到性能極限了，注定要被新材料新技術(shù)替代的，所以我們需要換道超車，提前布局才行。

而量子芯片、光子芯片、碳基芯片是新的方向。其中特別是碳基芯片，更是成為了很多人的希望，因為目前在碳基芯片上，我們的水平并沒有落后，在材料、制造、研究等領域，是處于世界前列的，截至2022年底，中國與碳基芯片相關的石墨烯專利技術(shù)申請量約占全球的80％。

再加上碳基芯片的電子遷移率遠高于硅基材料，性能至少是硅基芯片的10倍以上，同時功耗還能大幅降低。

還有人稱，碳基芯片，由于不使用硅，所以現(xiàn)有的光刻機技術(shù)，可能會被顛覆，不再需要EUV光刻機了，所以中國芯也就不會再被光刻機卡住脖子，值得我們大干一場。

事實上，目前的碳基芯片基本上還處于概念階段，并沒有實際可以量產(chǎn)的成品出現(xiàn)，更多的只是科學研究，全球都是如此。

同時由于載碳原子有4個自由電子，碳晶體管本身具有較高的導熱性與電子活潑性，導致碳晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)十分不穩(wěn)定，這也是當前制造碳基芯片的難點。

此外，從現(xiàn)在的研究來看，制造碳晶體管，依然采用的是當前硅基芯片的相同技術(shù)，還是采用投影式光刻機，對電路圖進行投影，原理、過程都一致的。

這意味著，想靠碳基芯片來繞過光刻機，以及EUV光刻機，在當前階段可能并不現(xiàn)實，碳基芯片與硅基芯片相比，只是材料不同而已，制造方式還是一樣的。

當然，碳基芯片遠比硅芯片先進，比如40nm的芯片碳基芯片，可以達到10nm硅基芯片的性能，也就是說14nm的碳基芯片，或許能達到3nm硅基芯片的性能，而我們?nèi)缃裾莆樟?4nm工藝，如果能率先制造出碳基芯片，確實是換道成功。

但是，實話實說，任何技術(shù)，都需要積累相關技術(shù)優(yōu)勢才能真正實現(xiàn)彎道超車，想要換條道，就可以超過別人，并不太現(xiàn)實，只有我國的半導體產(chǎn)業(yè)更加完善，將原本薄弱的基礎都補上來，才能真正開啟一個全新的芯片時代，你覺得呢？