美國東部3月2日下午，英飛凌宣布收購氮化鎵初創公司GaN Systems，交易總值8.3億美元。GaN Systems 是開發基于氮化鎵的功率轉換解決方案的全球技術領導者。公司總部位于加拿大渥太華，擁有200多名員工。

英飛凌首席執行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化鎵技術正在為支持脫碳的更節能、更節能的二氧化碳解決方案鋪平道路。在移動充電、數據中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應用中的采用正處于轉折點，導致充滿活力的市場增長?；跓o與倫比的研發資源、應用理解和客戶項目管道，計劃收購 GaN Systems 將顯著加快我們的氮化鎵路線圖。按照我們的戰略，合并將通過掌握所有相關電源技術進一步加強英飛凌在電源系統領域的領導地位，成為它在硅、碳化硅或氮化鎵上。”

GaN Systems 首席執行官 Jim Witham 表示：“GaN Systems 團隊很高興與英飛凌合作，在匯集互補優勢的基礎上創造高度差異化的客戶產品。憑借我們在提供卓越解決方案方面的共同專業知識，我們將以最佳方式利用氮化鎵的潛力。將 GaN Systems 的代工走廊與英飛凌的內部制造能力相結合，可以實現最大的增長能力，以服務于在廣泛的目標市場中加速采用氮化鎵。我為 GaN Systems 迄今為止取得的成就感到非常自豪，并且迫不及待地想與英飛凌一起譜寫下一個篇章。作為一家擁有廣泛技術能力的集成設備制造商，英飛凌使我們能夠充分發揮潛力。”

據了解，GaN Systems成立于2008年，總部位于加拿大渥太華，在英國、德國、日本和美國都設有辦公室，是一家無晶圓廠半導體公司。其一流的系統設計可以凸顯氮化鎵在電源轉換和控制應用中的優點。為了克服硅在轉化速度、溫度、電壓和電流方面的限制，該公司開發了適用于各種市場的全套氮化鎵功率轉化器件。GaN Systems獨有的專利技術IslandTechnology?使其比同類產品更小、更高效，且同時克服了成本、性能以及可制造性的挑戰。

GaN systems的氮化鎵結構如下圖：

如圖所示，GaN systems的氮化鎵器件，解決常開的 增加型氮化鎵器件的方法，是在Gate與ALGaN之前，加入一個絕緣柵，使原本常開的橫向型器件，變為了一個常閉的器件。這種有點類似MOSFET，加Gate極，引入一個絕緣層去控制 FET的開和關。所以，我們可以看到，這種結構的氮化鎵也是電壓型驅動的結構。cascode結構的電壓型驅動的氮化鎵，是通過控制一個小N MOS去控制氮化鎵的開關，而P型柵，雖然也是常關的氮化鎵器件，雖然也是需要給門極施加一定的電壓，但是從本質上看，P型柵是屬于電流型驅動的氮化鎵。在這一點上，幾種結構的氮化鎵略微有些區別。

作為一種寬帶隙材料，氮化鎵通過更高的功率密度、更高的效率和更小的尺寸為客戶提供價值，尤其是在更高的開關頻率下。這些特性可實現節能和更小的外形尺寸，使 GaN 適合廣泛的應用。到 2027 年，市場分析師預計用于功率應用的 GaN 收入將以 56% 的復合年增長率增長至約 20 億美元。因此，GaN 正在成為功率半導體的關鍵材料，與硅和碳化硅并駕齊驅，并與新的拓撲結構相結合，例如混合反激式和多級實現。2022 年 2 月，英飛凌宣布投資超過 20 億歐元在馬來西亞居林新建一座前端工廠，以加倍擴大寬帶隙，鞏固其市場地位。