本周，ASML在最新的聲明中指出，這些新的出口管制措施側(cè)重于先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括最先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)。

ASML強(qiáng)調(diào)，新的出口管制措施并不針對所有浸潤式光刻系統(tǒng)，而只涉及所謂“最先進(jìn)”的浸潤式光刻系統(tǒng)。截至目前企業(yè)尚未收到有關(guān)“最先進(jìn)”的確切定義的信息，公司將其解讀為在資本市場日會議上定義的“關(guān)鍵的浸潤式光刻系統(tǒng)”，即TWINSCANNXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)。

所謂浸沒式光刻機(jī)，屬于193nm（光源）光刻機(jī)（分為干式和浸沒式），可以被用于16nm至7nm先進(jìn)制程芯片的制造，但是目前也有被業(yè)界廣泛應(yīng)用在45nm及以下的成熟制程當(dāng)中。

ASML公司官網(wǎng)信息顯示，該公司主流的DUV光刻機(jī)產(chǎn)品共有三款設(shè)備：TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i和TWINSCAN NXT：2050i，其中2000i和2050i兩款是公司在聲明所指的產(chǎn)品。

ASML官網(wǎng)上關(guān)于這一臺TWINSCAN NXT:1980Di的介紹，其中在分辨率方面，寫到是大于等于38nm（可以支持到7nm左右），而這是指一次曝光的分辨率，事實上光刻機(jī)是可以進(jìn)行多次曝光的。

理論上NXT:1980Di依然可以達(dá)到7nm，只是步驟更為復(fù)雜，成本更高，良率可能也會有損失，晶圓廠用這一臺光刻機(jī)，大多是生產(chǎn)14nm及以上工藝的芯片，很少去生產(chǎn)14nm以下的工藝，因為良率低，成本高，沒什么競爭力。

ASML指出，先進(jìn)程度相對較低的浸潤式光刻系統(tǒng)已能很好滿足成熟制程為主的客戶的需求，并稱該公司A長期展望的基礎(chǔ)是全球長期需求和技術(shù)趨勢，而不是對具體地域的預(yù)期。自2019年以來，ASML的EUV光刻系統(tǒng)已經(jīng)受到限制。

ASML預(yù)計2023年在中國的銷售額將保持在22億歐元左右（約合人民幣超162億元），其正在加快拓展在中國的業(yè)務(wù)和銷售。