國產(chǎn)率提升至35%！詳解半導(dǎo)體設(shè)備主要工序國產(chǎn)化機會，已取得哪些成就？
特別是美國的芯片企業(yè)、半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，影響非常大，比如intel、AMD、美光、高通、Nvidia等，業(yè)績下滑嚴(yán)重，還有韓國三星、SK海力士也是業(yè)績降低冰點。
不過，國內(nèi)多家半導(dǎo)體設(shè)備公司業(yè)績卻接連報喜，比如華海清科2022年營收增長109.03%；凈利潤增長159.97%；再比如拓荊科技營收增長125.02%，凈利潤增長438.09%。還有盛美上海、北方華創(chuàng)、中微公司等多家公司，之前都發(fā)布了業(yè)績快報表示，營收、利潤大增長。
為什么會這樣呢？原因非常簡單，那就是越來越多的中國晶圓企業(yè)，開始使用國產(chǎn)設(shè)備，培養(yǎng)國產(chǎn)供應(yīng)商，減少對美企的依賴，所以國產(chǎn)廠商業(yè)績大增。
按照SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）的數(shù)據(jù)顯示，2022年中國晶圓廠商半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率較2021年明顯提升，從21%提升至35%，進步明顯。
而國產(chǎn)設(shè)備的使用增加，自然進口就減少了，SEMI預(yù)測，去年美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商，在中國的營收至少減少了50億美元左右，這些市場，就是被中國本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商替代掉了。
從具體的種類來看，我們在去膠、清洗、熱處理、刻蝕及CMP領(lǐng)域內(nèi)國產(chǎn)替代率較高，均高于30%了。
芯片主要制程國產(chǎn)化機會拆解
一、主制程設(shè)備及零部件的國產(chǎn)化機會詳解
IC工藝對應(yīng)流程主要分為硅片制造、前道與后道芯片制造環(huán)節(jié)。其中，前道芯片制造是被卡脖子最嚴(yán)重的環(huán)節(jié)，設(shè)備種類最多、復(fù)雜度最高，其流程主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、氧化擴散、CMP以及金屬化。
半導(dǎo)體集成電路制造前道工藝可以分為前半段器件形成工藝（包括在硅基板內(nèi)做成三極管等元器件），后半段布線工藝（包括在硅基板上進行金屬布線）。通過下圖可以發(fā)現(xiàn)，鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入及熱處理設(shè)備的技術(shù)壁壘高，在主制程中使用頻次較高。
中國大陸地區(qū)已能實現(xiàn)28nm芯片量產(chǎn)以及14nm芯片小規(guī)模量產(chǎn)，但與臺積電、三星等可以制備的3nm節(jié)點仍有較大差距。目前，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已開始補全中低制程，但由于前道設(shè)備的技術(shù)積累薄弱，鍍膜機、光刻機、離子注入機等設(shè)備的國產(chǎn)化率仍較低。
（一）鍍膜設(shè)備：CVD需求成倍增長
在硅片上沉積薄膜有多種技術(shù)，按工藝主要分為化學(xué)工藝和物理工藝：化學(xué)工藝包括化學(xué)氣相沉積（CVD）和電化學(xué)沉積（ECD）；物理工藝即物理氣相沉積（PVD）。CVD是利用等離子體激勵、加熱等方法，使反應(yīng)物質(zhì)在一定溫度和氣態(tài)條件下，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積在襯底表面，進而制得薄膜的工藝。PVD是一種利用濺射或蒸發(fā)等物理方法，團簇在真空環(huán)境中的襯底上凝聚，形成涂層的過程。由于化學(xué)活性基團比物理團簇活性更高、鉆孔性更強，CVD鍍膜的保型性比PVD更好。
隨著技術(shù)節(jié)點不斷微縮，無法通過光刻一步完成細(xì)線條制備時，可使用側(cè)墻轉(zhuǎn)移法有效減小線寬，而側(cè)墻轉(zhuǎn)移法帶來多次鍍膜的需求。另外，隨著器件結(jié)構(gòu)由平面結(jié)構(gòu)過渡到FinFET以及GAA立體結(jié)構(gòu)，對鍍膜的臺階覆蓋度要求進一步提高。CVD相較于PVD，鍍膜保型性更好，因此，CVD占鍍膜設(shè)備80%的價值量。
如下圖所示，不同種類的CVD滿足了不同技術(shù)節(jié)點半導(dǎo)體工藝的技術(shù)需求。隨著邏輯器件技術(shù)節(jié)點進入到5nm及以下，單片三維集成通過將不同功能模塊重新分層排布后進行垂直堆疊，并使用垂直互連實現(xiàn)層間的數(shù)據(jù)交換，大幅縮短了互連長度、提高了互連密度、優(yōu)化了互連結(jié)構(gòu)，進而提升了系統(tǒng)的集成度、帶寬和能效。但單片三維集成面臨一個嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——上層器件的熱預(yù)算受制于下層器件的退化行為。因此，能夠滿足襯底低溫鍍膜的熱絲CVD或可成為單片三維集成的上層器件主流鍍膜設(shè)備。
在傳統(tǒng)CVD領(lǐng)域，我國設(shè)備大廠奮起直追。其中，北方華創(chuàng)：布局APCVD、LPCVD、PECVD、ALD；沈陽拓荊：布局PECVD、SACVD、ALD，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)14nm及更寬節(jié)點的晶圓制造產(chǎn)線；中微公司：2022年針對Mini LED市場的MOCVD實現(xiàn)0-1放量；盛美：SiN LPCVD客戶端進行量產(chǎn)認(rèn)證，未來有望放量。
在未來5nm及以下節(jié)點器件中，大廠尚不具備熱絲CVD的研發(fā)能力，具備熱絲CVD自研能力的創(chuàng)業(yè)公司值得關(guān)注。
（二）光刻機：上游零部件國產(chǎn)創(chuàng)業(yè)公司值得重點關(guān)注
光刻機決定了半導(dǎo)體加工的最細(xì)線寬，是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，也是從底層光學(xué)原理到頂層機械自動化、OPA技術(shù)的集大成者。
從全球市場來看，ASML獨占鰲頭，成為唯一的一線供應(yīng)商，旗下產(chǎn)品覆蓋全部級別光刻機。IC前道光刻機出貨量占64%。而Nikon雖然高開低走，但其憑借多年的技術(shù)積累，勉強保住二線供應(yīng)商地位。Canon則完全屈居三線。
反觀國內(nèi)的后起之秀——上海微電子，則暫時只能提供低端光刻設(shè)備，由于光刻設(shè)備對知識產(chǎn)權(quán)和供應(yīng)鏈要求極高，短期很難達(dá)到國際領(lǐng)先水平。在光刻領(lǐng)域，高鵠團隊建議關(guān)注相應(yīng)的零部件公司和配套涂膠顯影設(shè)備公司。
熱涂膠顯影設(shè)備包括涂膠機、噴膠機、顯影機，是光刻工序中與光刻機配套使用的設(shè)備。全齊前道涂膠顯影設(shè)備銷售額由2013年的14.07億美金增長至2018年的23.26億美金，年復(fù)合增長率達(dá)到10.58%，預(yù)計23年市場規(guī)模約24.76億美金。
全球涂膠顯影設(shè)備被日本東京電子高度壟斷，其全球市占率約90%，亟待國產(chǎn)替代。而涂膠機主要技術(shù)壁壘在于轉(zhuǎn)軸的制備，高鵠團隊建議關(guān)注具備轉(zhuǎn)軸自研能力的相應(yīng)國產(chǎn)創(chuàng)業(yè)公司。
在02專項光刻機項目中，我國欲對標(biāo)ASML現(xiàn)階段最強DUV光刻機-NXT：2000i。以NXT：2000i為例，各個子系統(tǒng)拆分為：上海微電子負(fù)責(zé)光刻機設(shè)計和總體集成，科益虹源提供光源系統(tǒng)，國望光學(xué)提供物鏡系統(tǒng)，國科精密提供曝光光學(xué)系統(tǒng)，華卓精科提供雙工作臺，啟爾機電提供浸沒系統(tǒng)。該等上游零部件創(chuàng)業(yè)公司都值得重點關(guān)注。
（三）刻蝕：日美廠商頭部集中、國內(nèi)頭部公司地位形成
刻蝕是指通過移除晶圓表面材料，在晶圓上根據(jù)光刻團進行微觀雕刻，將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的工藝。
刻蝕機技術(shù)發(fā)展趨勢：
? 隨著線寬尺寸不斷縮小，片內(nèi)刻蝕均勻性及工藝負(fù)載控制能力成為關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。
? 隨著三維堆疊技術(shù)不斷應(yīng)用，對刻蝕形貌、粗糙度、深寬比和準(zhǔn)直度有苛刻要求。
? 根據(jù)IRDS預(yù)測，5nm及以下節(jié)點有可能引入Ge、SiGe等新材料，相應(yīng)的，對于Ge/SiGe器件的刻蝕提出要求。
? 而先進節(jié)點器件的柵介質(zhì)層厚度往往在5nm以下，則對刻蝕機提出了原子層級的控制要求。
刻蝕機技術(shù)壁壘顯著，全球刻蝕機市場的集中度高，長期被泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材三大巨頭占據(jù)（占比90%）。在細(xì)分介質(zhì)刻蝕機市場中，東京電子處于領(lǐng)先地位，市占率達(dá)52%，國內(nèi)中微公司的市占率僅達(dá)到3%。
同時，國內(nèi)刻蝕機市場，頭部公司地位也已形成，留給創(chuàng)業(yè)公司的機會有限。中微公司占據(jù)20%的份額，僅次于國外的泛林半導(dǎo)體，北方華創(chuàng)占據(jù)6%市場份額。中微領(lǐng)軍國內(nèi)介質(zhì)刻蝕，北方華創(chuàng)則領(lǐng)軍國內(nèi)硅刻蝕。
（四）離子注入機：低能大束流成為終極目標(biāo)
離子注入機主要有兩大技術(shù)參數(shù)指標(biāo)：
? 劑量：離子劑量是單位面積硅片表面注入的離子數(shù)。當(dāng)離子注入機中正雜質(zhì)離子形成離子束，它的流量被稱為離子束電流，單位是mA。離子束電流越大，單位時間內(nèi)注入的粒子數(shù)越多。大束流有助于提升產(chǎn)量，但高均勻性很難達(dá)成。
? 射程：離子射程是離子注入過程中串通硅片的總深度。離子注入機的能量越高，雜質(zhì)原子打入硅片越深，射程越大。
低能大束流離子注入機設(shè)備壁壘較高，國際IC注入機巨頭美國應(yīng)用材料公司也是通過收購Varian，才補全低能大束流離子注入機的版圖，構(gòu)成最全注入機產(chǎn)品矩陣。而我國設(shè)備類大廠在低能大束流注入機領(lǐng)域的市場占有率幾乎為0。
（五）熱處理工藝：激光退火或為終極退火解決方案
熱處理工藝主要用在氧化、擴散、退火、合金幾個半導(dǎo)體加工步驟中，其中退火工藝隨著技術(shù)節(jié)點的減小，對于設(shè)備的要求變化最大。
退火工藝經(jīng)過近60年的發(fā)展，針對于不同技術(shù)節(jié)點、不同應(yīng)用，已有5類退火設(shè)備。
傳統(tǒng)的爐退火工藝的退火時長在小時量級，常用于材料改性、應(yīng)力釋放等環(huán)節(jié)。但對于雜質(zhì)離子，在小時量級時長的退火中，擴散距離過長，無法保證界面處激活雜質(zhì)離子濃度及隔離區(qū)域的電學(xué)穩(wěn)定性。RTP（快速熱退火設(shè)備）應(yīng)運而生，可以實現(xiàn)全片秒級退火，滿足28nm及以上節(jié)點制程需求。但是對于更先進制成的邏輯器件，源漏接觸電阻率要低于10-9甚至10-10量級，此時需要退火設(shè)備的退火時間更短，并且不破壞源漏區(qū)域外其他部分摻雜離子的雜質(zhì)分布。雖然閃光退火可達(dá)到毫秒級別，但仍然無法滿足定域退火的需求。而目前最先進的激光退火方式可以達(dá)到納秒級別的定域退火，或為終極退火解決方案。
全球熱處理設(shè)備市場呈寡頭壟斷格局，美國應(yīng)用材料、東京電子、日立國際電氣三大國際巨頭廠商壟斷了超80%的市場份額。國內(nèi)廠商中，非激光退火類設(shè)備屹唐半導(dǎo)體市占率5%，北方華創(chuàng)市占率0.2%。激光退火類設(shè)備為新興領(lǐng)域，具備自研技術(shù)實力、工藝?yán)斫饽芰σ约傲慨a(chǎn)能力的創(chuàng)業(yè)公司值得期待。
（六） CMP：先進制程+SiC拋光或為創(chuàng)業(yè)公司破局之道
化學(xué)機械拋光（CMP）是半導(dǎo)體集成電路制造前道工序和先進封裝環(huán)節(jié)的必備環(huán)節(jié)，指用化學(xué)腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。CMP市場主要分為設(shè)備和耗材（拋光液、拋光墊），其中CMP耗材占接近68%，CMP設(shè)備為32%。
據(jù)Business Wire預(yù)測，2020年至2027年，全球CMP設(shè)備市場規(guī)模將從20億美元增長至29億美元，CAGR達(dá)5.8%。但全球CMP設(shè)備市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，美國應(yīng)用材料一家獨大，2019年市占率達(dá)到70%，而位居第二的日本荏原機械僅為25%。
CMP設(shè)備的國產(chǎn)化率約18%，目前主要以中低端產(chǎn)品為主，大部分高端CMP設(shè)備仍依賴進口。美國應(yīng)用材料公司和荏原的CMP設(shè)備均已達(dá)到5nm制程工藝，華海清科的CMP設(shè)備則主要應(yīng)用于28nm及以上制程生產(chǎn)線，14nm制程工藝仍在驗證中，技術(shù)水平與兩家巨頭仍存在一定差距。
另外，由于第三代半導(dǎo)體碳化硅相較于硅禁帶寬度和擊穿場強更大，適用于功率器件。經(jīng)預(yù)測，2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達(dá)62.97億美元，2021-2027年CAGR達(dá)34%；其中汽車市場碳化硅功率器件規(guī)模有望達(dá)49.86億美元，占比達(dá)79.2%。但是，由于碳化硅材料硬度大，針對傳統(tǒng)硅基的CMP設(shè)備無法滿足碳化硅器件制備過程中的拋光要求。美國應(yīng)用材料公司的碳化硅CMP設(shè)備也還在預(yù)研階段。我國或許具備在碳化硅CMP領(lǐng)域換道超車的機會。
（七）從通用性及國產(chǎn)化率看零部件國產(chǎn)化替代機會
高鵠團隊整理了CVD、刻蝕設(shè)備、離子注入設(shè)備、熱處理設(shè)備的具體構(gòu)造以及零部件的國產(chǎn)化率，從零部件通用性以及國產(chǎn)化率角度出發(fā)，分析了2023年值得關(guān)注的零部件種類為：真空泵、真空閥、ESC、結(jié)構(gòu)件。
真空子系統(tǒng)包含用于真空獲得、真空測量、真空檢漏的零部件，用于半導(dǎo)體產(chǎn)品制造領(lǐng)域的代表性產(chǎn)品為干式真空泵。真空子系統(tǒng)市場規(guī)模約27億美元，60%份額由歐洲生產(chǎn)商貢獻(xiàn)。其中，前三大歐洲生產(chǎn)商——Edwards、Pfeiffer和VAT，貢獻(xiàn)了全球55%的市場份額。
ESC可通過靜電吸附作用來固定晶圓，確保晶圓不會發(fā)生翹曲變形，保證加工精度和潔凈程度。目前普遍的靜電吸盤技術(shù)主要是以氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷作為主體材料。ESC市場具有高度壟斷性，主要由日本和美國等企業(yè)主導(dǎo)，包括美國應(yīng)用材料、美國LAM、日本新光電氣、日本TOTO等公司。前四大企業(yè)占據(jù)90%以上的全球市場份額。
超高純陶瓷/碳化硅結(jié)構(gòu)件是用于半導(dǎo)體氧化擴散設(shè)備中的爐管、立式舟、底座和擋板的重要零部件。要求在1000℃以上高溫環(huán)境下仍能保持高硬度，并可將熱量快速、均勻傳導(dǎo)。目前90%的市場被日本特殊陶業(yè)、京瓷基團壟斷。
二、量檢測設(shè)備的國產(chǎn)化機會詳解
從技術(shù)路線原理上看，檢測和量測主要包括光學(xué)檢測技術(shù)、電子束檢測技術(shù)和X光量測技術(shù)。三種技術(shù)的差異主要體現(xiàn)在檢測精度、檢測速度及應(yīng)用場景上。結(jié)合三類技術(shù)路線的特點，應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)的設(shè)備可以相對較好實現(xiàn)高精度和高速度的均衡，并且能夠滿足其他技術(shù)所不能實現(xiàn)的功能，如三維形貌測量、光刻套刻測量和多層膜厚測量等應(yīng)用。根據(jù)VLSI Research和QY Research的報告，在2020年全球半導(dǎo)體檢測和量測設(shè)備市場中，應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)、電子束檢測技術(shù)及X光量測技術(shù)的設(shè)備市場份額占比分別為75.2%、18.7%及2.2%，可以看出應(yīng)用光學(xué)檢測技術(shù)設(shè)備具有領(lǐng)先的市占率優(yōu)勢。
未來檢測和量測設(shè)備的技術(shù)提升主要體現(xiàn)在三個方面：提高檢測技術(shù)分辨率、加強大數(shù)據(jù)檢測算法和軟件的自主研發(fā)、提升設(shè)備檢測速度和吞吐量。
? 分辨率：隨著 DUV、EUV光刻技術(shù)的不斷發(fā)展，集成電路工藝節(jié)點的不斷升級，市場對檢測技術(shù)的空間分辨精度也提出了更高的要求。未來設(shè)備制造廠商必須使用更短波長的光源以及更大數(shù)值孔徑的光學(xué)系統(tǒng)，才能進一步提高光學(xué)分辨率。
? 軟件與算法：在達(dá)到或接近光學(xué)系統(tǒng)極限分辨率的情況下，光學(xué)檢測技術(shù)在依靠解析晶圓圖像來捕捉其缺陷的基礎(chǔ)之上，還需要結(jié)合深度的圖像信號處理軟件和算法，在有限的信噪比圖像中尋找微弱的異常信號。然而目前市場上并沒有可以直接使用的軟件，因此，業(yè)內(nèi)企業(yè)均需在自己的檢測和量測設(shè)備上，自行研制、開發(fā)算法和軟件。
? 吞吐量：半導(dǎo)體質(zhì)量控制設(shè)備是晶圓廠的主要投資支出之一，因此設(shè)備的性價比是其選購時的重要考慮因素。質(zhì)量控制設(shè)備檢測速度和吞吐量的提升將有效降低晶圓檢測成本，從而實現(xiàn)降本增效。
受益于晶圓廠擴張擴產(chǎn)，前道量測設(shè)備市場空間廣闊。根據(jù)集微咨詢統(tǒng)計，中國大陸共有23座12英寸晶圓廠正在投入生產(chǎn)，總計月產(chǎn)能約為104.2萬片，與總規(guī)劃月產(chǎn)能156.5萬片相比，仍有較大擴產(chǎn)空間。據(jù)預(yù)測，中國大陸2023年、2024年每年將新增5座12英寸晶圓廠。
同時，晶圓面積增大的趨勢下，對良率要求越來越嚴(yán)格，也增加了對量測及檢測設(shè)備的需求。2016年至今，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和檢測與量測設(shè)備市場快速發(fā)展，VLSI Research數(shù)據(jù)顯示，中國大陸2020年市場規(guī)模超過21億美元，五年CAGR為31.6%，再次成為全球最大的檢測與量測設(shè)備市場。
經(jīng)過多年潛心研究和技術(shù)經(jīng)驗積累，我國檢測與量測設(shè)備行業(yè)實現(xiàn)較大突破，以中科飛測、上海睿勵、上海精測為代表的的國產(chǎn)廠商開始發(fā)力，部分產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)在中芯國際、長江存儲、長電科技、華天科技、通富微電等國內(nèi)主流集成電路制造產(chǎn)線，打破了在質(zhì)量控制設(shè)備領(lǐng)域國際設(shè)備廠商對國內(nèi)市場的長期壟斷局面。
國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取得新突破
半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域種類繁多，制造原理各異，從整體上看，相比于海外企業(yè)，國內(nèi)廠商的技術(shù)實力仍有差距。不過，近年來，國產(chǎn)化浪潮洶涌奔來，國內(nèi)企業(yè)以敏銳的直覺抓住發(fā)展時機，共同為國產(chǎn)化替代化目標(biāo)加速努力中。而近期，國內(nèi)部分半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)陸續(xù)傳來佳音。
01、萬業(yè)企業(yè)：凱世通離子注入機訂單均為集成電路離子注入機
4月19日，萬業(yè)企業(yè)在投資者互動平臺表示，嘉芯半導(dǎo)體預(yù)計 2025年將成為達(dá)到年產(chǎn)2450臺8吋和12吋主制程及支撐制程設(shè)備的研發(fā)制造基地。
此前，萬業(yè)企業(yè)就透露，目前公司旗下凱世通的離子注入機訂單均為集成電路離子注入機。
02、勁拓股份：已經(jīng)研制出半導(dǎo)體芯片封裝爐等國產(chǎn)空白的半導(dǎo)體設(shè)備
4月21日，勁拓股份在互動平臺表示，公司致力于攻關(guān)封測環(huán)節(jié)和硅片制造環(huán)節(jié)一些有技術(shù)壁壘且國產(chǎn)空白的半導(dǎo)體設(shè)備，目前已經(jīng)研制出半導(dǎo)體芯片封裝爐、Wafer Bumping焊接設(shè)備、真空甲酸焊接設(shè)備、甩膠機、 氮氣烤箱、無塵壓力烤箱等多款設(shè)備產(chǎn)品。
勁拓股份稱，未來公司將繼續(xù)推動技術(shù)延展、產(chǎn)品升級，拓寬在IGBT、IC載板、Wafer Bumping、Clip Bonding、FCBGA等生產(chǎn)制造領(lǐng)域的應(yīng)用，基于優(yōu)質(zhì)的進口替代設(shè)備產(chǎn)品，為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控貢獻(xiàn)力量。
03、盛美上海：交付國外客戶的兩臺新型設(shè)備正進行驗證
據(jù)科創(chuàng)板日報報道，盛美上海董事長HUI WANG于4月21日在業(yè)績會上表示，“公司預(yù)計將向美國和歐洲市場積極開展銷售，交付給美國主要制造商的兩臺新型設(shè)備正在順利進行驗證，預(yù)計通過驗證后會給公司帶來更多訂單。”
2023年以來，盛美上海頻傳佳音。2月底，盛美上海宣布獲得來自歐洲一家全球性半導(dǎo)體制造商的首個12腔單片SAPS兆聲波清洗設(shè)備訂單，預(yù)計將于2023年第四季度交付至該客戶的歐洲工廠。
3月底，盛美上海首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計將在2023年第三季度末發(fā)貨。
據(jù)悉，盛美上海自主研發(fā)出的SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)為全球首創(chuàng)，可應(yīng)用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點的晶圓清洗領(lǐng)域。
04、芯碁微裝：新能源光伏領(lǐng)域光刻設(shè)備已具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用條件
4月21日，光刻設(shè)備供應(yīng)商芯碁微裝在投資者互動平臺表示，在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司產(chǎn)品應(yīng)用在IC、MEMS、生物芯片、分立功率器件等制造、IC掩膜版制造、先進封裝、顯示光刻等環(huán)節(jié)，應(yīng)用場景不斷拓展。
其中，在新能源光伏領(lǐng)域，電鍍銅作為光伏去銀降本重要技術(shù)，曝光設(shè)備空間廣闊，公司在該領(lǐng)域光刻設(shè)備已具備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用條件，目前設(shè)備已在多家下游客戶進行驗證，公司將進一步完善對前沿技術(shù)領(lǐng)域的探索及產(chǎn)業(yè)化驗證，夯實公司在該領(lǐng)域內(nèi)的先發(fā)技術(shù)優(yōu)勢，為新增產(chǎn)能的未來消化提供堅實的支撐。
05、精測電子：半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測量設(shè)備正在驗證過程中
4月18日，半導(dǎo)體量測設(shè)備企業(yè)精測電子在投資者互動平臺表示，公司明場光學(xué)缺陷檢測設(shè)備、半導(dǎo)體硅片應(yīng)力測量設(shè)備已完成首臺（套）的交付，目前正在驗證的過程中。
除此之外，精測電子高壁壘的明場光學(xué)缺陷檢測設(shè)備已取得突破性訂單，在國內(nèi)具備核心卡位優(yōu)勢，未來有望拓展至更多客戶。其余儲備的產(chǎn)品目前正處于研發(fā)、認(rèn)證以及拓展的過程中。
06、芯米半導(dǎo)體：首臺幻影12英寸光刻工藝涂膠顯影設(shè)備XM300交付客戶
4月8日，芯米（廈門）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡稱“芯米半導(dǎo)體”）首臺自研自創(chuàng)幻影12英寸光刻工藝涂膠顯影設(shè)備XM300已成功交付國內(nèi)一線客戶。
07、北京爍科中科信碳化硅離子注入機交付
據(jù)“北京爍科中科信”4月初消息，北京爍科中科信電子裝備有限公司（以下簡稱“北京爍科中科信”）碳化硅離子注入機順利交付。
目前，北京爍科中科信已擁有中束流離子注入機、低能大束流離子注入機、高能離子注入機和定制離子注入機四種產(chǎn)品。
此前，3月31日，北京爍科中科信表示，公司一季度實現(xiàn)設(shè)備交付及市場訂單雙突破。北京總公司和長沙分公司實現(xiàn)12臺離子注入機先后順利交付，同比增長300%，僅3月份就交付5臺設(shè)備。一季度新簽合同再創(chuàng)新高，合同總額突破3.5億元，同比增長21%。
總結(jié)
但大家在高興之余，也要正視一個事實，那就是在價值量較高設(shè)備領(lǐng)域內(nèi)國產(chǎn)化率較低，
在芯片制造的過程中，半導(dǎo)體設(shè)備大致可以分為11大類，50多種機型，其核心有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積機、離子注入機、CMP設(shè)備、清洗機、前道檢測設(shè)備和氧化退火設(shè)備八大類。
在這核心的設(shè)備上，我們的國產(chǎn)化占比還較低，比如光刻機、離子注入機等，其國產(chǎn)化率合計不足5%，特別是光刻機，這個最關(guān)鍵的設(shè)備，國內(nèi)的技術(shù)還落后太遠(yuǎn)太遠(yuǎn)。
