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從75nm到5nm,打破美國蝕刻機封鎖,他立下汗馬功勞!

2023-06-09 來源:賢集網
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關鍵詞: 芯片 ASML 臺積電

此前,美國加大對華為的制裁力度已經眾所周知了,目的是為了直接切斷華為的全球芯片供應鏈,以此來遏制這家中國科技公司的崛起。因為目前華為只涉及了芯片的設計環節,并不具備芯片的制造能力。


要知道,芯片從設計到量產的過程非常繁雜,其中光刻和蝕刻是繞不開的兩大關鍵技術。尤其在光刻階段,芯片制造廠商所需要的核心設備正是如今被ASML壟斷的光刻機。

而在蝕刻階段,也需要廠商擁有地位等同于光刻機的重要設備--蝕刻機。放眼全球蝕刻機制造領域,依舊是海外企業占據主導地位,但也不要小瞧我們的國產蝕刻機,畢竟中國有一家蝕刻機公司,耗時多年成功打破了其他國家的技術封鎖,制造精度從65nm一步步突破到了5nm。

這家公司正是中微半導體,也是目前中國唯一的蝕刻機巨頭。中微半導體的創始人是歸國博士尹志堯,在回國前,尹志堯已經在硅谷的半導體行業從事了二十多年。尹志堯回國后,在國內大刀闊斧的進行蝕刻機的研究和發展,在短短幾年時間里,憑借尹志堯團隊的實力以及政府對中微半導體的大力支持,我國蝕刻機發展便取得了極大的進展。


“中國刻蝕機之父”尹志堯

尹志堯1944年出生于北京一個書香門第的家庭,他的祖父、父親都曾出國留學,并且二人后來都選擇了回國報效。這樣的家庭讓尹志堯自幼具備國際視野,而且他一直有著一個奮斗強國的情結。



尹志堯的人生是典型的學霸之路:考入北京四中,考入中國科學技術大學化學物理系,進入中科院蘭州物理化學所做研究員,之后又考上北京大學研究生,再然后去加利福尼亞大學讀博士。

博士畢業后,尹志堯先后在美國英特爾、泛林、“應用材料”等半導體巨頭企業工作。工作期間他個人擁有86項美國專利和200多項各國專利。

在應用材料公司,尹志堯甚至做到了總公司副總裁的位置。

在美國事業如日中天,但是尹志堯在六十歲這個年齡,居然出人意料地選擇了回國創業。

做出這個決定,除了受父親、祖父愛國心的影響以外,還有一個讓人意想不到的原因。

1984年,尹志堯第一次去英特爾上班時,他驚訝地發現:公司從研究課題組長、經理,再到工程師,絕大部分都是華人。

“沒有想到,華人對美國集成電路的發展,貢獻如此之大!”尹志堯說。

這件事讓尹志堯堅信,中國將來在集成電路領域,一定能達到世界最先進水平。20年后,他要親自證明自己的判斷,他選擇回國創業。

為了不違反企業保密條例,尹志堯沒有帶任何文件、圖紙走,只帶領著 15 人小團隊,和他們的記憶,還有美國的企業管理理念。

2004年,他在上海創辦中微半導體公司,并堅持全員持股。

“為什么英特爾、泛林、應用材料這三家能成為世界頂尖的半導體公司?很多人不知道,一個關鍵原因是全員持股。”尹志堯說。

“如果員工只有工資和獎金,那么競爭企業可以輕松用高薪挖走你的員工,讓你曾經的員工成為你的競爭對手。為長遠考慮,我們公司全員持股,每一個級別股票差20%,工資差 10%,我稱之為中微的特色社會主義集體所有制。”

就這樣,在尹志堯的帶領下,大家靠著記憶和不斷學習外國最新的研究成果,僅用三年的時間,便研發出了第一代刻蝕機。

公司成立17年,先后投入20多億人民幣,中微相繼推出了從 75納米到5納米工藝的刻蝕機,技術始終與美國巨頭公司處于同一水平,并且產品已被臺積電采用,同時產品還銷往韓國、新加坡、日本等國家。

隨著中微的成功,美國政府很快取消了刻蝕機對華出口限制,因為這個限制已經失去意義。



成功打入臺積電供應鏈

現在的中微公司,代表著國內刻蝕機技術的“天花板”,還在全球分工的芯片產業鏈中站穩了腳跟。

業界一般把28納米“分辨率”視為芯片先進程度的分界線,28納米及以上被稱為“成熟制程”,28納米以下被稱為“先進制程”。

高端的等離子體刻蝕機可以用于先進制程的芯片生產。2015年之前,美國一直向中國廠商禁運這類設備,直到中微突破這項技術,禁令隨之廢除。

目前,全球僅有臺積電和三星兩家公司能量產5納米芯片。臺積電就用了中微的等離子體刻蝕機生產先進制程的芯片。

國內另一半導體設備巨頭北方華創的刻蝕機,突破了制造14納米制程芯片的技術壁壘,相關設備于2016年開始出貨。

兩家公司相對比,中微更專注在芯片刻蝕設備研發上,并在2012年切進LED賽道,研制出首臺用于LED芯片制造的MOCVD設備。今年6月份,中微公司還發布了用于高性能Mini-LED量產的MOCVD設備,目前Mini-LED已然成為了市場的熱點。

北方華創的優勢在于產品線更齊全,擁有半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備、精密元器件四大事業群。

據市場研究機構VLSI統計的客戶滿意度,2019年中微在全球晶圓制造設備市場排名第三,也是前五名中唯一的中國企業。


國產半導體產業的機遇

中微半導體的成功證明了,中國在高技術領域不僅具有強大的市場潛力,也有能力突破技術封鎖,成為全球領先的技術創新者之一。這種技術上的突破不僅意味著中國在半導體領域實現了從追趕到領先的跨越,也為中國在其他高技術領域贏得了更多的話語權。

然而,要在全球半導體行業占據主導地位,中微半導體仍然需要不斷創新和努力。中國半導體產業的發展仍然面臨許多挑戰,如核心技術受限、高精度設備制造困難、人才短缺等。因此,中國半導體產業必須繼續加大研發投入,提升技術水平,加強與國際先進企業的合作,積極推動本土企業的創新能力。



值得一提的是,在未來的發展中,中國半導體產業將迎來更大的機遇。隨著人工智能、物聯網等新興技術的發展,半導體產業將成為重要的基礎性產業,而中國市場規模龐大、政策支持力度大、勞動力成本低等因素將會成為中國半導體產業的優勢。同時,中國半導體企業需要發揮自身的優勢,積極布局全球市場,加強國際技術交流與合作,推動中國半導體產業實現更快的發展。

作為中國半導體企業的代表,中微半導體的成功不僅是中國半導體產業發展史上的重要節點,更是中國半導體企業積極走出去、參與全球競爭的標志。中微半導體在與國際先進企業的合作中,學習了他們的先進技術和管理經驗,不斷提高自身的創新能力和競爭力。這些經驗和能力將有助于中微半導體和其他中國半導體企業在全球市場中獲得更大的發展機遇和優勢。

不過,中國半導體企業在布局全球市場和加強國際技術交流與合作方面仍面臨諸多困難和挑戰。其中最大的挑戰之一是缺乏核心技術,中國半導體企業需要加大研發投入,尤其是在芯片制造工藝和器件設計等核心技術方面加強攻關。此外,中國半導體企業在國際市場上面臨的質量認證、知識產權保護等問題也需要加強研究和應對。

在此背景下,中國政府需要繼續加大對半導體產業的支持力度,提供更多的政策扶持和資金支持,鼓勵企業加大研發投入,推動技術創新和產業升級。同時,政府也需要加強與國際機構的合作,推動國際標準的制定和質量認證等工作。

總之,中微半導體的成功雖然為中國半導體產業的發展注入了強心劑。但是,中國半導體企業仍需要發揮自身的優勢,不斷加大研發投入,提高自身的技術水平和競爭力,積極布局全球市場,加強國際技術交流與合作,推動中國半導體產業實現更快的發展。在此過程中,中國政府的支持和引導將發揮重要的作用,幫助中國半導體企業在全球市場中贏得更大的發展機遇和優勢。



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