三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導(dǎo)體展會(huì) ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進(jìn)展以及對(duì) SRAM 設(shè)計(jì)的影響。

三星表示，相較 FinFET，MBCFET 提供了更好的設(shè)計(jì)靈活性：在傳統(tǒng)的 FinFET 結(jié)構(gòu)中，柵極所包裹的鰭片高度是無(wú)法調(diào)整的；而 MBCFET 則將鰭片橫向堆疊在一起，所以納米片的高度可以自行調(diào)整，能提供相對(duì) FinFET 更多的通道寬度選擇。

MBCFET 的這一特性為 SRAM 單元設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性，可以在 PMOS 和 NMOS 之間形成最佳平衡。