618大促已經(jīng)結(jié)束，讓業(yè)界高興的是國產(chǎn)芯片獲得了國內(nèi)消費者的認可，而且這是消費者用真金白銀表達了對國產(chǎn)芯片的喜愛，國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤和內(nèi)存條都取得了熱銷榜第一名。

國產(chǎn)存儲芯片紛紛以國產(chǎn)芯片的理念向消費者證明了國產(chǎn)芯片的巨大突破，NAND flash存儲芯片率先量產(chǎn)全球最先進的232層技術(shù)產(chǎn)品，DRAM實現(xiàn)了接近10納米工藝的技術(shù)水平，達到了全球領(lǐng)先水平。

在技術(shù)上的巨大突破之外，則是國產(chǎn)芯片以實惠的價格爭取消費者的支持，國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤價格大舉下跌，4TB已跌穿1000元，對比起數(shù)年前256GB就超過千元，可謂白菜價，讓國內(nèi)消費者享受到了技術(shù)突破帶來的實惠。

DRAM內(nèi)存的價格也在猛烈下跌，光威32GB內(nèi)存條價格只要349元，對比起數(shù)年前這樣的內(nèi)存條價格可是高達2000多元。在光威的猛烈攻勢下，曾經(jīng)的內(nèi)存條王者金士頓跌下了神壇，昂貴的價格讓這些外資品牌內(nèi)存條被消費者拋棄。

消費市場是一個最為公開的市場，消費者選擇哪種產(chǎn)品，往往會從技術(shù)、價格等多方面因素考慮之后選擇產(chǎn)品，而國產(chǎn)存儲芯片贏得了消費者的熱愛，就證明國產(chǎn)存儲芯片在技術(shù)上確實達到了世界主流乃至先進水平，而在價格方面也非常討喜。

打破三星制霸權(quán)，國產(chǎn)技術(shù)彎道超車

三星制霸全球有一個知名“殺手锏”——“逆周期調(diào)節(jié)大法”：即價格下跌增產(chǎn)，市場萎縮降價，加劇行業(yè)虧損，迫使競爭對手破產(chǎn)。

擊倒日本最后一家存儲芯片大廠爾必達后，如今三星、海力士、美國美光三家企業(yè)壟斷全球85%以上市場份額。市占率高的廠商掌握著定價權(quán)，他們能通過增產(chǎn)、減產(chǎn)左右存儲芯片的價格，每次三星放出工廠著火影響產(chǎn)量的消息，國內(nèi)存儲產(chǎn)品價格就會大幅飆升。

中國廠商努力6年，終于在2022年把存儲芯片產(chǎn)能提了上來，三大廠商的定價權(quán)被打破。中國制造將芯片迅速打至白菜價，三星承受不住業(yè)績虧損，逆周期擴張策略就此暫停。

中國廠商之所以能擁有和巨頭叫板的底氣，得益于技術(shù)的突破。

在芯片領(lǐng)域，國外巨頭依靠先進的制程工藝每隔1-2年便會更新一代產(chǎn)品，產(chǎn)品性能隨之提升。2020年美國迫使荷蘭政府禁止向我國出口最先進的光刻機后，國內(nèi)短期無法復(fù)制該路徑。

但存儲芯片的技術(shù)迭代特點，給了中國彎道超車的機會。存儲芯片在突破20nm制程工藝后，可靠性會斷崖式下跌，所以通過先進制程工藝來提升性能這條路是走不通了。

不能靠制程工藝從平面上縮小晶體管擴容，廠家便換了個方法：在垂直方向上疊加，像搭積木一樣堆疊起來，這種方法也被稱為3D堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)越高，存儲密度越高，性能越強。

所以即使買不到最先進的光刻機，也能通過3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)性能的追趕。

存儲芯片中，這套技術(shù)應(yīng)用最廣泛的是閃存，2022年長江存儲已經(jīng)用獨家的3D堆疊技術(shù)Xtacking，先于三星、美光量產(chǎn)了最先進的232層閃存。與行業(yè)普遍將讀寫單元和存儲單元設(shè)計在一顆晶圓上不同，Xtacking技術(shù)將兩者分別設(shè)計在兩顆獨立晶圓上再拼起來，這樣做可以讓兩者同時設(shè)計流片，大大縮短研發(fā)生產(chǎn)周期，這才實現(xiàn)了技術(shù)反超。

國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)嶄露頭角

雖然國際存儲芯片巨頭具有先發(fā)優(yōu)勢，但近年來，國內(nèi)存儲芯片制造商也取得了不斷的突破，并逐步縮小與國外大廠的差距。一些龍頭企業(yè)如長鑫存儲、北京君正、兆易創(chuàng)新、長江存儲等嶄露頭角。


1、長鑫存儲：國內(nèi)DRAM頭部企業(yè)

長鑫存儲成立于2016年，是國DRAM領(lǐng)域頭部企業(yè)，同時也是中國大陸首家DRAM IDM廠商，集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售于一體。據(jù)悉，今年以來長鑫存儲計劃在科創(chuàng)板IPO，估值不低于1000億元人民幣。目前公司還在正在挑選承銷商，IPO融資規(guī)模尚未最終確定。

2018年，長鑫成功研發(fā)出中國首個國產(chǎn)8Gb DDR4內(nèi)存。2019年長鑫存儲成功實現(xiàn)國產(chǎn)19nm的DDR4、LPDDR4存儲芯片量產(chǎn)，成為全球第四家掌握20nm以下的DRAM生產(chǎn)制造商。2020年長鑫存儲同美國一家半導(dǎo)體企業(yè)簽訂了協(xié)議，拿下了海量專利授權(quán)。2021年，長鑫存儲采用主流內(nèi)存芯片工藝為19nm，并于2022年完成了17nm DDR5內(nèi)存的試產(chǎn)。如今，長鑫存儲已成為中國大陸規(guī)模最大且唯一能夠制造DDR4/LPDDR4存儲芯片的廠商。


2、北京君正：全球車用 DRAM 龍頭

北京君正成立于2005年，2011年在深圳創(chuàng)業(yè)板上市。專注于集成電路設(shè)計、開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，其主要領(lǐng)域包括處理器芯片和平臺式解決方案的研發(fā)。作為少數(shù)幾家成功市場化嵌入式CPU核心技術(shù)的本土企業(yè)之一，君正在集成電路領(lǐng)域掌握著重要的地位。

尤其是車用DRAM芯片領(lǐng)域。2020年，君正完成了對美國ISSI及其下屬子品牌Lumissil的收購。ISSI致力于為汽車、工業(yè)和醫(yī)療等領(lǐng)域提供高品質(zhì)、高可靠性的存儲器產(chǎn)品，包括SRAM、DRAM、Nor Flash、2D NAND Flash和eMMC等。ISSI的客戶遍布全球。

君正整合了自身積累了十幾年的技術(shù)，以及ISSI三十余年的存儲、模擬和互聯(lián)技術(shù)，形成了三大品牌：Ingenic（微處理器和智能視頻芯片）、ISSI（存儲芯片）和Lumissil（模擬與互聯(lián)芯片）。使君正一躍成為車載存儲領(lǐng)域的領(lǐng)軍廠商，其車用存儲份額達到15%，僅次于美光，在全球市場上具備了強大的競爭力。


3、兆易創(chuàng)新：全球第一Fabless Flash供應(yīng)商

兆易創(chuàng)新成立于2005年4月，2016年在上海交易所成功上市。其核心產(chǎn)品線包括存儲器（Flash和利基型DRAM）、32位通用型MCU、智能人機交互傳感器、模擬產(chǎn)品及整體解決方案。發(fā)展至今，兆易創(chuàng)新已成為全球排名第一的Fabless無晶圓廠Flash供應(yīng)商。在NOR Flash領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新市場占有率全球排名第三，中國市場位居第一，累計出貨量近212億顆。

2013年，兆易創(chuàng)新推出了業(yè)界第一顆SPI NAND Flash，并在多年的發(fā)展中實現(xiàn)了對消費電子、工業(yè)、汽車電子等領(lǐng)域的全品類產(chǎn)品覆蓋。此外，兆易創(chuàng)新也是率先研發(fā)并成功推出SPI NOR Flash的公司之一。作為全球頂尖的NOR Flash供應(yīng)商，兆易創(chuàng)新始終保持著技術(shù)和市場的領(lǐng)先地位。有著豐富的產(chǎn)品線，涵蓋了7款溫度規(guī)格、16種產(chǎn)品容量、27大產(chǎn)品系列以及29種封裝方式，能夠滿足不同市場應(yīng)用對高性能、低功耗、高可靠性、小封裝等需求。


4、長江存儲：全球首個量產(chǎn)超200層3D NAND廠商

長江存儲成立于2016年，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時也提供完整的存儲器解決方案。3D NAND是一種創(chuàng)新的閃存技術(shù)，通過將存儲單元垂直堆疊起來，解決了傳統(tǒng)2D NAND閃存的限制。相比于平面結(jié)構(gòu)的2D NAND，3D NAND具有更高的存儲密度和容量，同時還改善了性能和耐用性。這使得它成為現(xiàn)代電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用的存儲解決方案。

長江存儲在NAND技術(shù)發(fā)展路線上，僅用了短短3年時間就實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的突破，直接跳過了96層堆棧閃存的研發(fā)。其自主創(chuàng)新的晶棧Xtacking架構(gòu)技術(shù)為3D NAND帶來了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的存儲密度，提高了研發(fā)效率并縮短了生產(chǎn)周期。2022年，長江存儲發(fā)布了基于晶棧3.0架構(gòu)的第四代3D TLC NAND閃存芯片，命名為X3-9070，層數(shù)高達232層。這使得長江存儲成為全球首個量產(chǎn)超過200層的3D NAND芯片制造商。盡管最初計劃生產(chǎn)232層閃存的是美光科技、三星和東芝等國際巨頭，但長江存儲仍成功反壓。

今年4月，長江存儲獲得了大基金二期的增資，其注冊資本從562.7億元人民幣增加至約1052.7億元，新增了近500億元的資金。長江存儲二期項目也已啟動，規(guī)劃的產(chǎn)能將達到每月30萬片，進一步縮小了與國際存儲巨頭之間的差距。市場調(diào)研機構(gòu)Counterpoint預(yù)測，到2023年，長江存儲有望在全球存儲市場占據(jù)約6%的份額。

全球存儲芯片競爭態(tài)勢

自2021年以來，受消費電子市場需求疲軟等因素的影響，存儲芯片需求增長有所放緩。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)顯示，2022年全球存儲芯片市場規(guī)模超過1500億美元，較2021年略有增長。隨著海外大廠相繼減產(chǎn)以及市場需求逐步恢復(fù)，行業(yè)預(yù)計將迎來回暖。據(jù)預(yù)測，到2023年，全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1658億美元。

2022年DRAM市場規(guī)模達到790.61億美元，占據(jù)56.8%的市場份額。NAND Flash市場規(guī)模為601.26億美元，占據(jù)43.2%的市場份額。在存儲器產(chǎn)品中，DRAM是最大的產(chǎn)品類別。三星、SK海力士和美光是主要的DRAM供應(yīng)商。根據(jù)2021年的數(shù)據(jù)，三星占據(jù)了市場份額的43%，SK海力士占據(jù)了28%，美光占據(jù)了23%。在NAND Flash領(lǐng)域，市場集中度較高。2021年，前六大NAND Flash供應(yīng)商合計占據(jù)了超過95%的市場份額。三星、鎧俠和西部數(shù)據(jù)是其中最主要的供應(yīng)商，分別占據(jù)了市場份額的34%、19%和14%。

國內(nèi)市場，隨著我國在電子制造領(lǐng)域水平的提升，國內(nèi)對存儲芯片產(chǎn)品的需求不斷增長。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會的數(shù)據(jù)預(yù)測，預(yù)計到2023年，國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達到6492億元。然而，目前國內(nèi)的存儲芯片自給率僅為15.70%，存在較大的提升空間。從2016年到2021年，我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復(fù)合增長率約為20.57%。