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英特爾18A制程搶下美政府大單 臺(tái)積美國(guó)廠面臨分食壓力

2023-08-07 來(lái)源:科技網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 英特爾 臺(tái)積電 晶圓

盡管外界多不看好英特爾(Intel)能重返榮耀,但半導(dǎo)體業(yè)者近月來(lái)觀察到大象動(dòng)起來(lái),除了持續(xù)改善成本與獲利結(jié)構(gòu)、加快先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝制程技術(shù)推進(jìn)外,值得注意的是,2021年美國(guó)國(guó)防部提出“RAMP-C”計(jì)畫,一開始即與英特爾簽下代工協(xié)議,將使用Intel 18A技術(shù)開發(fā)和生產(chǎn)晶片。


另一方面,RAMP-C合作成員也持續(xù)擴(kuò)增,除IBM、微軟(Microsoft)和NVIDIA外,還有波音(Boeing)與Northrop Grumman等航太、國(guó)防科技大廠,另包括聯(lián)發(fā)科、Arm等也透過(guò)與英特爾合作而加入計(jì)畫。


英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)在美國(guó)政府訴求“美國(guó)制造”戰(zhàn)略目標(biāo)支持下,終于有所進(jìn)展,若英特爾所釋出的先進(jìn)制程與封裝技術(shù)藍(lán)圖按既定時(shí)程登場(chǎng),不僅2024年超越三星電子軟(Samsung Electronics)目標(biāo)將達(dá)陣,臺(tái)積電延遲至2025年量產(chǎn)的美國(guó)新廠,也將面臨美國(guó)政府訂單分食壓力。


半導(dǎo)體業(yè)者表示,英特爾數(shù)年來(lái)苦陷制程技延遲、市佔(zhàn)流失危機(jī),過(guò)去一年又面臨半導(dǎo)體需求反轉(zhuǎn)等困境,制造與產(chǎn)品設(shè)計(jì)二大事業(yè)腹背受敵,業(yè)績(jī)表現(xiàn)也低迷,眼睜睜看著超微(AMD)、NVIDIA等對(duì)手群持續(xù)坐大。


近期英特爾終于展現(xiàn)反擊強(qiáng)大決心,除啟動(dòng)組織重整與瘦身甩賣不賺錢的業(yè)務(wù)開始收效后,同時(shí)最受關(guān)注的制程技術(shù)推進(jìn)與擴(kuò)產(chǎn)大計(jì),英特爾也清楚交代技術(shù)藍(lán)圖與面市時(shí)程,若開出支票全部?jī)冬F(xiàn),半導(dǎo)體與PC、伺服器產(chǎn)業(yè)將有重大變化。


英特爾近期再度揭露4年內(nèi)發(fā)展5個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A)的計(jì)畫進(jìn)度。其中,Intel 4全面使用極紫外光(EUV)微影技術(shù),2023年下半登場(chǎng)的PC處理器Meteor Lake和資料中心Granite Rapids率先採(cǎi)用。


英特爾也指出,18A制程節(jié)點(diǎn)先在內(nèi)部逐步提升產(chǎn)能與解決制程問(wèn)題,進(jìn)而大幅降低外部代工客戶的風(fēng)險(xiǎn)。


先進(jìn)封裝技術(shù)方面,臺(tái)積電2.5D封裝有InFO、CoWoS,3D有SoIC,近期罕見出現(xiàn)供不應(yīng)求的就是臺(tái)積電CoWoS,也促使臺(tái)積電啟動(dòng)大擴(kuò)產(chǎn),并引來(lái)三星搶單傳言。


英特爾方面,2.5D有EMIB,Sapphire Rapids伺服器處理器為首款量產(chǎn)產(chǎn)品,下世代的EMIB則從55微米凸點(diǎn)間距降至45微米;3D則有Foveros,Meteor Lake處理器為Foveros實(shí)作的第二世代,具備36微米凸點(diǎn)間距,晶片塊橫跨多種制程節(jié)點(diǎn),熱設(shè)計(jì)功耗從5~125瓦。


相較臺(tái)積電主要晶圓廠仍在臺(tái)灣,美日建廠進(jìn)行中,產(chǎn)能比重并不多,封裝據(jù)點(diǎn)1~6廠全在臺(tái)灣,地緣政治風(fēng)險(xiǎn)仍是各方認(rèn)為危機(jī)所在。


英特爾則是持續(xù)擴(kuò)大歐美晶圓廠產(chǎn)能,封裝廠除美國(guó)外,在馬來(lái)西亞與越南皆有工廠,尤其是馬來(lái)西亞規(guī)模甚大,近期也決定在義大利建廠。


半導(dǎo)體業(yè)者表示,肩負(fù)美國(guó)制造重任的英特爾穩(wěn)取美國(guó)支持,RAMP-C計(jì)畫將使用Intel 18A技術(shù)開發(fā)和生產(chǎn)晶片,也就是2025年后將量產(chǎn)。


若英特爾所有制程技術(shù)畫不再推遲且良率符合預(yù)期,2024年超越三星不是問(wèn)題,最重要的是,可能會(huì)影響臺(tái)積電延遲至2025年量產(chǎn)的美國(guó)新廠。


先前外界皆認(rèn)為,臺(tái)積電美廠甚難獲利,必須仰賴美國(guó)政府軍事航太所釋出的訂單,應(yīng)該也取得美方長(zhǎng)約承諾,才會(huì)決定建置2座4/3奈米制程新廠。


然而英特爾已明確宣布,以更先進(jìn)的Intel 18A制程搶下美國(guó)政府等眾多訂單,未來(lái)勢(shì)將牽動(dòng)全球晶圓代工板塊挪移。



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