眾所周知，目前硅基芯片的制造，離不開光刻工藝。

而光刻工藝，則離不開光刻機，而全球目前僅4家半導體芯片制造的光刻機廠商，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子。

其中ASML最牛，擁有EUV光刻機、浸潤式光刻機、干式光刻機等各種高、中低端光刻機，份額高達80%+。

尼康第二牛，擁有除EUV光刻機之外的其它光刻機，最高水平是浸潤式光刻機。佳能排第三，不過最高水平是干式光刻機。而上海微電子實際也能生產干式光刻機，但分辨率只有90nm，相對最差。

干式光刻機最高只能支持65nm芯片，浸潤式光刻機最高能達到7nm工藝，而7nm工藝之后則需要EUV光刻機。

所以目前，國內的光刻機，基本上都是從ASML、尼康、佳能進口，畢竟上海微電子的光刻機，確實差那么一丟丟，從上面的市場份額圖也可以看到，國產光刻機的份額沒列出來，因為基本接近于0，沒有列的必要。

在這樣的情況之下，光刻機已經嚴重拖了國產芯片產業的后腿，也導致目前美國拿光刻機卡著國內的芯片產業。

比如EUV不賣到中國來，而浸潤式光刻機也受限， ASML的浸潤式光刻機中，先進的兩款不賣，只有一款落后的可以賣。而尼康的光刻機，同樣的先進的不賣。

也在這樣的情況之下，大家都認為，國產光刻機必須突破，要早點開發出EUV光刻機出來才行，才能夠真正打破壟斷，讓禁令成為廢紙。

不過，從目前的情況來看，國產芯片制造，要繞過EUV的可能性更高，為什么呢？因為有了一項新技術，那就是NIL納米壓印。

EUV光刻機是非常難的，ASML已經將產業鏈捆綁在一起了，其它廠商很難避開EUV產業鏈，生產出EUV光刻機出來。

但NIL納米壓印技術不同，沒有被誰捆綁住，同時門檻相對較低，更重要的是NIL壓印技術，目前佳能已經進度良好，佳能表示到2025年時實現5nm工藝。

而國內也有公司，目前雖然沒有達到佳能的水準，但表現也不錯，比如天仁微納的納米壓印設備，已經可以在150／300mm基底面積上實現高精度（優于10nm ）了。

可見，納米壓印技術，在國內很可能比EUV光刻機發展的更快，也許當國產EUV光刻機還沒影時，NIL納米壓印技術，就進入5nm了。

所以正如我標題所言，國產芯片制造工藝，或要繞過EUV光刻機了，不信，大家等著瞧，畢竟佳能也是這么想的。