最近網(wǎng)上又有眾多的關(guān)于EUV光刻機(jī)突破的消息，這些內(nèi)容真真假假，讓網(wǎng)友們沸騰了一次又一次。

但與此同時(shí)，也讓網(wǎng)友們有了更多的疑問(wèn)，那就是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，究竟發(fā)展到哪一步了？

事實(shí)上，目前門面上對(duì)外公開(kāi)的技術(shù)，我們最先進(jìn)的光刻機(jī)是上海微電子的SSA600/20系列，分辨率是90nm。

這是一臺(tái)DUV光刻機(jī)，但是干式的那一種，光源是193nm波長(zhǎng)的深紫外線，這種DUV光刻機(jī)，其最高支持的工藝是65nm。

不過(guò)按照網(wǎng)友們的猜測(cè)，這只是對(duì)外公開(kāi)的，不對(duì)外公開(kāi)的肯定不止，那么究竟有沒(méi)有更先進(jìn)的光刻機(jī)，這個(gè)我不去猜測(cè)，我也不清楚。

不過(guò)，我可以從光刻機(jī)的三大核心器件，來(lái)分析一下，目前這三大器件發(fā)展到什么程度了，大家根據(jù)這幾大器件來(lái)參考一下吧。

光刻機(jī)的三大核心器件，分別是光源、物鏡系統(tǒng)、工作臺(tái)。

光源很容易理解，比如193nm波長(zhǎng)的深紫外線，然后就是13.5nm的極紫外線。其中DUV光刻機(jī)，包含浸潤(rùn)式光刻機(jī)，均是采用193nm波長(zhǎng)。

只是浸潤(rùn)式光刻機(jī)中，在工作臺(tái)上面，會(huì)有一層水，而193nm波長(zhǎng)的光源，經(jīng)過(guò)水時(shí)會(huì)進(jìn)行折射，等效于134nm波長(zhǎng)的光源了。

目前國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，采用的是193nm的光源，至于13.5nm波長(zhǎng)的極紫外線，目前沒(méi)有搞定，前幾天清華大學(xué)的那個(gè)SSMB-EUV方案，至少目前還沒(méi)有真正搞定。

再說(shuō)物鏡系統(tǒng)，這里主要指的是蔡司提供給ASML的光學(xué)系統(tǒng)，目前全球能夠生產(chǎn)浸潤(rùn)式光刻機(jī)物鏡系統(tǒng)，包括EUV光刻機(jī)物鏡系統(tǒng)的廠商，全球只有一家，那就是蔡司。

國(guó)內(nèi)有了DUV干式光刻機(jī)，所有了DUV干式光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng)，之后還有浸潤(rùn)式光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng)，還有EUV光刻機(jī)的物鏡系統(tǒng)，這是兩個(gè)很大的坎。

最后說(shuō)說(shuō)工作臺(tái)，工作臺(tái)由曝光臺(tái)、流量臺(tái)兩部分組成，也就是雙工作臺(tái)。目前國(guó)內(nèi)的技術(shù)，也是DUV光刻機(jī)的工作臺(tái)，不過(guò)據(jù)說(shuō)差別不是特別大，所以這一塊應(yīng)該不是太難的點(diǎn)。

而浸潤(rùn)式光刻機(jī)的工作臺(tái)，又有一點(diǎn)不一樣，在工作臺(tái)上面，有一層浸潤(rùn)式系統(tǒng)，這個(gè)至少?zèng)]有公開(kāi)資料顯示，我們有沒(méi)有搞定也不清楚了。

事實(shí)上除了這三大核心器件之外，像光束矯正器、光束形狀設(shè)置、遮光器、能量探測(cè)器等等，都是非常有難度的，并且不同的光刻機(jī)，要求都不一樣，并不能通用的。

所以，網(wǎng)上什么這個(gè)突破，那個(gè)突破，也要看情況，單一的EUV光源或某件東西的突破，并不能讓整個(gè)光刻機(jī)技術(shù)突破，需要眾多的突破一起才行。

當(dāng)然，正如我前面所言，這些都是明面上的東西，也許我們特意低調(diào)，悶聲發(fā)財(cái)，不對(duì)外公布也是有可能的，所以本文僅供參考。