以前的手機(jī)存儲(chǔ)，很多是8GB起步，后來有了16GB，32GB、64GB，到如今已經(jīng)是128GB、256GB起步了，還有了1TB、2TB這樣的大存儲(chǔ)版本。

為何存儲(chǔ)越來越大？原因是存儲(chǔ)芯片成本越來越低，大家看看現(xiàn)在的SSD市場(chǎng)，1TB只要200多塊，而3年前還是1000多元。

而為何存儲(chǔ)芯片這么便宜，一方面是技術(shù)不斷進(jìn)步，導(dǎo)致存儲(chǔ)密度不斷增長(zhǎng)，所以單位容量?jī)r(jià)格變低。另外一方面則是行業(yè)周期的影響，目前正處于市場(chǎng)低谷，所以價(jià)格低。

此外，還有一個(gè)非常重要的原因，那就是國(guó)產(chǎn)卷王誕生，打得三星、SK海力士、美光這幾大巨頭不敢高價(jià)賣存儲(chǔ)芯片了，價(jià)格壟斷被打破了。

而這所謂的國(guó)產(chǎn)卷王，就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)，2016年成立，短短7年時(shí)間，就實(shí)現(xiàn)了從0到1的突破，還實(shí)現(xiàn)了從1到100的跨越式發(fā)展。

2016年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立，主攻NAND閃存芯片，而在2016年時(shí)，中國(guó)消耗的存儲(chǔ)芯片，接近全球的一半，國(guó)內(nèi)NAND閃存的產(chǎn)能為0，100%靠從國(guó)外進(jìn)口。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)就在這樣的情況之下成立的，立志要讓中國(guó)人用上中國(guó)自己的NAND閃存。而在2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也不負(fù)眾重，推出了第一塊32層的3D NAND閃存，比三星等國(guó)際巨頭，落后了4-5年時(shí)間。

不過長(zhǎng)江存儲(chǔ)不著急，一直在努力追求，在2018年時(shí)研發(fā)出了一項(xiàng)核心技術(shù)，叫做Xtacking（晶棧）。

基于這個(gè)Xtacking技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來了騰飛時(shí)刻，從64層堆疊技術(shù)，跳過96層堆疊，直接進(jìn)入128層，然后在2022年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成為世界上第一個(gè)可以量產(chǎn)232層NAND閃存堆疊的公司，比三星、SK海力士、美光等更先進(jìn)。

從市場(chǎng)份額來看，2016年時(shí)為0%，2020年時(shí)約為1%，而到了2022年時(shí)，份額達(dá)到了5%左右。

而從2016年成立，到如今，也不過7年的歷史，而這7年間，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一共投入了2000多億元，來硬剛巨頭三星、美光、SK海力士等，且在技術(shù)上確實(shí)是剛贏了。

不過，在2022年，美國(guó)看到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的進(jìn)步，害怕了，于是將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單，對(duì)先進(jìn)的設(shè)備進(jìn)行封禁。

問題來了，禁令長(zhǎng)江存儲(chǔ)影響有多大？不黑不吹，影響肯定會(huì)有的，畢竟半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，美國(guó)、日本、荷蘭等占據(jù)壟斷地位。

但是，存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片又有一點(diǎn)不一樣，邏輯芯片在不斷的向先進(jìn)制造前進(jìn)，目前已經(jīng)達(dá)到了3nm，而存儲(chǔ)芯片不一樣，不能不斷的前進(jìn)，存儲(chǔ)芯片進(jìn)入到15nm時(shí)，不能再縮小工藝制程了，因?yàn)樵较冗M(jìn)越不穩(wěn)定。

所以存儲(chǔ)芯片的設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代，并沒有想象中的那么難，目前國(guó)內(nèi)很多設(shè)備已經(jīng)有了替代方案，且長(zhǎng)江存儲(chǔ)從來不是孤軍奮戰(zhàn)，還有其它國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈、國(guó)家力量在一起努力。