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說實話,中國芯從14nm進入7nm不那么難,但5nm就難了

2023-09-22 來源:科技專家
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關鍵詞: 中芯國際 芯片 臺積電

關于我們的芯片工藝,究竟是多少納米,爭論已經好幾年了。有人說是14nm,有人說是10nm、7nm,反正最終也沒爭論出一個結果來。


不過,最近似乎有了一個結果了,那就是7nm,至于為什么是7nm,這個估計大家懂的,那就是華為mate60Pro這款手機給大家揭開謎底的,麒麟9000S芯片嘛。



很多人表示,既然就這么低調的搞定了7nm,是不是意味著接下來5nm也快了?


當然,從理論上來講,技術是在不斷進步的,任何封鎖都只能封鎖一時,不能封鎖永久,所以5nm肯定是能夠搞定的。


不過,從另外一方面來看,我們從之前的14nm進入7nm確實相對容易一些,不那么難,但要進入5nm,難度就大很多了。



我不是長他人志氣,滅自己人威風,而是從技術的發展或者顛覆性程度來看,確實是如此。


從光刻機,大家就基本能夠看出端倪來,DUV光刻機可以用于130nm-7nm工藝。而其中ArF這種干式光刻機,用于130nm-65m。而ArFi這種浸潤式光刻機,可以用于65-7nm。


大家就基本能夠判斷出,很多的半導體設備,其實就像ArFi這種浸潤式光刻要一樣,其實14nm、10nm、7nm是通用的。


比如刻蝕機也是如此,14nm、10nm、7nm工藝的也是通用的,還有一些清洗等設備,也是如此。



所以當我們擁有14nm技術時,代表著其中已經擁有了進入7nm的設備基礎,很多設備通用,那么再不斷的調整,鉆研,突破,進入7nm相對而言,也就不那么難了。


但進入5nm就完全不一樣了,目前進入5nm工藝,必須用到EUV光刻機,這種光刻機,我們從來沒有購買到過。


另外與EUV光刻機配合的,又是另外整套的設備,與原來設備不相同的,比如掩膜版制造也完全不一樣了,還有清洗設備、VCD設備等等,都是全新一套的。



然后光刻膠也不一樣了,必須用到EUV光刻膠,還有一些材料等,全部要重新升級,不像原來的DUV光刻機,以及很多材料、設備能夠通用。


關鍵是現在對于5nm及以下工藝的設備,國內也沒有存貨,因為一直以來就是封鎖對象,買不到。


所以相對而言,要進入5nm工藝,確實要比進入7nm難一些,但不管多難,我們肯定也是要突破的,只是時間問題。



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