12 月 19 日消息，臺積電在積極推進 2nm 工藝節(jié)點，首部機臺計劃 2024 年 4 月進廠之外，近日有消息稱臺積電 1.4nm 晶圓廠會落戶臺中科學(xué)園區(qū)二期。

報道稱臺積電目前正積極擴充 CoWoS 封裝產(chǎn)能，計劃在臺中地區(qū)建設(shè)第 7 家先進封裝和測試工廠，目前正在評估嘉義科學(xué)園區(qū)和云林。

本月 14 日報道，臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM）的小組研討會上透露，其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。

根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。

目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時間和具體參數(shù)，但考慮到 N2 節(jié)點計劃于 2025 年底量產(chǎn)，N2P 節(jié)點則定于 2026 年底量產(chǎn)，因此 A14 節(jié)點預(yù)計將在 2027-2028 年問世。

在技術(shù)方面，A14 節(jié)點不太可能采用垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)，不過臺積電仍在探索這項技術(shù)。因此，A14 可能將像 N2 節(jié)點一樣，依賴于臺積電第二代或第三代環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAAFET）技術(shù)。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士認為，臺積電目前已經(jīng)感受到三星和英特爾的壓力，而且創(chuàng)始人張忠謀已經(jīng)將主要擔(dān)憂從三星轉(zhuǎn)移到英特爾方面。

英特爾近日發(fā)布報告，在 PowerVia 背面供電技術(shù)、玻璃基板和用于先進封裝的 Foveros Direct 方面均取得較大成功。

根據(jù) TrendForce 集邦咨詢 3Q23 全球晶圓代工營收 TOP10 排名，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)首次進入全球 TOP10，以業(yè)界最快的季度增長位列第九。