日前消息指光刻機(jī)巨頭ASML預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)10臺(tái)第二代EUV光刻機(jī)，其中6臺(tái)已確定被美國(guó)芯片企業(yè)Intel奪下，剩下的兩臺(tái)將由三星和臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，如此一來(lái)拿到更多第二代EUV光刻機(jī)的美國(guó)可望率先量產(chǎn)2納米，反超臺(tái)積電。

一、第二代EUV光刻機(jī)的重要性

目前臺(tái)積電和三星都是以第一代EUV光刻機(jī)生產(chǎn)3納米工藝，導(dǎo)致它們的良率偏低。臺(tái)積電生產(chǎn)的3納米采用FinFET技術(shù)，保守的態(tài)度確保3納米工藝的良率達(dá)到55%，卻也導(dǎo)致性能偏低，生產(chǎn)的A17處理器性能僅提升一成而功耗過(guò)高。

三星激進(jìn)地采用GAA技術(shù)，3納米工藝的性能應(yīng)該會(huì)更高，但是3納米良率卻低至兩成以下，過(guò)低的良率導(dǎo)致三星的3納米工藝至今沒(méi)有芯片采用；當(dāng)然臺(tái)積電的良率雖然高一些，卻也達(dá)到5納米以上工藝的九成以上良率，成本也高。

導(dǎo)致如此結(jié)果的原因之一就是第一代EUV光刻機(jī)并不適合用于生產(chǎn)3納米工藝，光刻機(jī)已是芯片工藝最重要的設(shè)備，為此ASML早就已推進(jìn)第二代EUV光刻機(jī)的研發(fā)，第二代EUV光刻機(jī)可以用于3納米以下工藝。

不過(guò)第二代EUV光刻機(jī)的技術(shù)難度太高，需要全球5000家企業(yè)配合才能生產(chǎn)出來(lái)，導(dǎo)致ASML的研發(fā)進(jìn)程緩慢，量產(chǎn)難度也大，預(yù)計(jì)明年只能生產(chǎn)10臺(tái)第二代EUV光刻機(jī)，之后也只能增產(chǎn)到每年20臺(tái)。

二、美國(guó)圖謀臺(tái)積電

數(shù)年前美國(guó)就要求臺(tái)積電上交機(jī)密數(shù)據(jù)，隨即還要求臺(tái)積電、三星等赴美設(shè)廠，并以520億美元芯片補(bǔ)貼作為誘惑，最終促使它們順從。

不過(guò)隨著臺(tái)積電和三星在美國(guó)的工廠推進(jìn)，美國(guó)承諾的芯片補(bǔ)貼最終只是給了臺(tái)積電10%，三星給13%，超過(guò)七成的芯片補(bǔ)貼都給了美國(guó)本土的Intel、美光等，隨后又給出芯片補(bǔ)貼細(xì)則，要求共享技術(shù)、利潤(rùn)等，變相促使臺(tái)積電和三星舍棄補(bǔ)貼。

不給芯片補(bǔ)貼，對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)可能還是小事，核心技術(shù)機(jī)密的泄露才是臺(tái)積電等更擔(dān)憂的事情，隨著臺(tái)積電交出機(jī)密數(shù)據(jù)，Intel的7納米工藝就迅速推進(jìn)，Intel的7納米工藝被認(rèn)為等同于臺(tái)積電的4納米工藝，如此的巧合讓人深思。

Intel此前在14納米工藝量產(chǎn)后，在10納米、7納米工藝的研發(fā)方面都遭遇了巨大的困難，足足延遲了9年時(shí)間才量產(chǎn)7納米工藝，而同期臺(tái)積電的芯片工藝卻從落后于Intel到如今遙遙領(lǐng)先。

很顯然美國(guó)的目的最終還是幫助美國(guó)本土的Intel確保技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，再到如今獲取6臺(tái)第二代EUV光刻機(jī)，加速推進(jìn)2納米工藝，也就意味著美國(guó)即將重奪芯片制造工藝技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

三、美國(guó)重奪芯片制造技術(shù)優(yōu)勢(shì)

臺(tái)積電雖然已量產(chǎn)3納米工藝，但是由于現(xiàn)有的第一代EUV光刻機(jī)并不適合生產(chǎn)3納米工藝，當(dāng)然更不適合生產(chǎn)更先進(jìn)的2納米工藝，這對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)正帶來(lái)巨大的困難。

據(jù)悉臺(tái)積電已計(jì)劃不斷改良3納米工藝，2024年有N3E、N3P，2025年有N3X，似乎顯示出它也認(rèn)識(shí)到2納米工藝研發(fā)的難度很大，由此而不得不斷延續(xù)3納米工藝的壽命，預(yù)計(jì)2納米工藝得在2026年量產(chǎn)。

這一切是如此熟悉，當(dāng)年Intel在量產(chǎn)14納米工藝之后，10納米工藝推進(jìn)困難，就不斷在14納米工藝上擠牙膏，直到2019年量產(chǎn)10納米，這樣的時(shí)間給予臺(tái)積電反超的機(jī)會(huì)，如今臺(tái)積電在3納米工藝上陷入停滯，Intel反超也就有希望。

Intel在明年獲取10臺(tái)第二代EUV光刻技的6臺(tái)，有了更先進(jìn)的光刻機(jī)，Intel很可能將在2025年量產(chǎn)2納米，比臺(tái)積電提前一年，取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

美國(guó)多年來(lái)為了確保自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，一再采取了類似的手段，1990年代日本芯片曾占全球芯片市場(chǎng)五成份額，在美國(guó)的壓制下日本芯片迅速衰敗到如今僅占全球芯片市場(chǎng)10%的份額，還有阿爾斯通事件最終確保了美國(guó)通用重奪電氣市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，如今芯片技術(shù)一如以往。