在存儲芯片技術(shù)的較量上，由于美國的干預(yù)導(dǎo)致中國存儲芯片技術(shù)停留在232層，而三星和美光則已量產(chǎn)300層以上的NAND flash，重掌技術(shù)優(yōu)勢的它們則迅速聯(lián)合抬價，導(dǎo)致半年時間過去固態(tài)硬盤價格上漲50%。

存儲芯片技術(shù)由美日韓主導(dǎo)，他們占據(jù)了存儲芯片市場超過九成以上的市場份額，依靠市場份額優(yōu)勢，他們曾聯(lián)合漲價，還曾因此被美國以操控價格為由重罰韓國一家存儲芯片企業(yè)3億美元，可見他們確曾利用市場地位操縱存儲芯片價格。

壟斷性的市場地位，為海外存儲芯片企業(yè)帶來了豐厚的利潤，韓國最大的消費電子企業(yè)三星曾因此取得巨額利潤，存儲芯片業(yè)務(wù)為它帶來超過五成的利潤，可見掌控存儲芯片優(yōu)勢市場份額帶來的利潤有多大。

不過中國存儲芯片的崛起打破了他們的美夢，中國的存儲芯片企業(yè)從最底層的32層做起，到64層都未大規(guī)模量產(chǎn)，直到128層才規(guī)模量產(chǎn)，如此做就是為了積累完全自主的技術(shù)，到2022年中國存儲芯片企業(yè)率先實現(xiàn)了232層NAND flash，取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，由此給全球存儲芯片行業(yè)帶來了巨大的沖擊。

中國制造向來被認(rèn)為成本優(yōu)勢凸顯，而在存儲芯片方面則再次凸顯出中國制造的成本威力，隨著中國存儲芯片的技術(shù)達到世界領(lǐng)先水平，中國存儲芯片將固態(tài)硬盤的價格打了個對折，這也讓美光、三星等的存儲芯片業(yè)務(wù)陷入巨虧，美光在2023年上半年就虧損了42億美元之多。

眼見著在技術(shù)方面已無法與中國存儲芯片企業(yè)較量，美國突然在2022年底出手，限制海外芯片設(shè)備和材料企業(yè)給中國的存儲芯片企業(yè)供應(yīng)先進設(shè)備和材料，這導(dǎo)致中國的存儲芯片企業(yè)一直停留在232層技術(shù)上，而三星、美光在去年量產(chǎn)了300層以上的技術(shù)。

重掌技術(shù)優(yōu)勢，加上他們?nèi)匀徽加谐^九成的市場份額，從去年下半年以來就傳出他們有意聯(lián)合抬高存儲芯片的價格，如今固態(tài)硬盤如預(yù)期般抬升50%，意味著他們已將聯(lián)合抬價付諸行動。

面對著海外芯片行業(yè)掌控著存儲芯片技術(shù)主導(dǎo)權(quán)，中國科技行業(yè)當(dāng)然不甘心，日前就傳出上海光機所研發(fā)新的存儲技術(shù)，這被稱為超級光盤技術(shù)，相關(guān)技術(shù)成果已發(fā)表在國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《自然》上。

據(jù)悉上海光機所研發(fā)的超級光盤技術(shù)，在于突破了光盤技術(shù)的“攔路虎”—光學(xué)衍射極限的限制以提升存儲效率，存儲容量達到藍(lán)光光盤的萬倍、機械硬盤的百倍，而且數(shù)據(jù)存儲也將更可靠，央視的報道指出十幾張“超級光盤”就可以存儲下整個國家圖書館的數(shù)據(jù)量。

超級光盤技術(shù)相比起現(xiàn)有NAND flash存儲芯片的優(yōu)勢在于成本更加低廉，與中國制造的低成本相結(jié)合，將推動中國在存儲技術(shù)方面形成全新的局面，這將打破海外芯片行業(yè)繼續(xù)掌控存儲技術(shù)的格局，為中國在存儲技術(shù)方面取得更多話語權(quán)，這次他們將無法再利用他們在產(chǎn)業(yè)鏈方面的優(yōu)勢遏制中國存儲技術(shù)，因為這是中國完全自主研發(fā)的全新技術(shù)。