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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達到業內先進水平,可顯著提高功率密度、能效和熱性能

2024-03-14 來源:華強電子網
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關鍵詞: 對稱 雙通道

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換,在提高功率密度和能效的同時,增強熱性能,減少元器件數量并簡化設計。


日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件,節省50%基板空間。器件為設計人員提供節省空間的解決方案,用于同步降壓轉換器、負載點(POL)轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級,適用領域包括無線電基站、工業電機驅動、焊接設備和電動工具。這些應用中,SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優化組合,同時4.5 V下邏輯電平導通簡化電路驅動。


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為提高功率密度,該MOSFET 在4.5 V條件下導通電阻典型值降至18.5 mW,達到業內先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積,即MOSFET功率轉換應用重要優值系數(FOM)為 131mW*nC,導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關應用的效率。


器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力,熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低,連續漏電流達36 A,比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局,支持縮短開關回路,從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經過100% Rg和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

 

競品對比表:

產品編號

SiZF4800LDT (新品)

競品

SiZF4800LDT

性能改進型

封裝

PowerPAIR 3x3FS

PowerPAIR 3x3FS


尺寸 (mm)

3.3 x 3.3 x 0.75

3.3 x 3.3 x 0.75

-

配置

對稱雙通道

對稱雙通道

-

VDS (V)

80

80

-

VGS (V)

±   20

±   20

-

RDS(on) (m?) @ 4.5 VGS

典型值

18.5

22

+16 %

最大值

23.8

29

+18 %

Qg (nC) @ 4.5 VGS

典型值

7.1

6.0

-

FOM

-

131

132

+1 %

ID (A)

最大值

36

26

+38 %

RthJC (C/W)

最大值

2.2

4.8

+54 %


 SiZF4800LDT現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為26周。



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