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SEMI:全球半導體晶圓廠產能今明兩年將分別增長 6%、7%

2024-06-19 來源: IT之家
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關鍵詞: 半導體 晶圓 人工智能

半導體行業機構 SEMI 于當地時間昨日公布新一期的世界晶圓廠預測季度報告。


報告認為全球半導體晶圓廠產能將在 2024 和 2025 兩年分別實現 6% 和 7% 的同比增長,在 2025 年創下每月 3370 萬片 8 英寸晶圓當量的歷史新高。


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▲ 整體產能變化情況。圖源 SEMI


從產地來看,中國大陸將成為近兩年全球產能提升的主要推動力:華虹、晶合集成、芯恩、中芯國際和長鑫存儲均在大力投資提升產能。


具體到數值上,中國大陸晶圓廠今年整體產能將同比增長 14%,達每月 885 萬片晶圓當量,而到 2025 年這一數值將再次增長 15%,達每月 1010 萬片晶圓當量,占行業整體的約 1/3。


其余各主要產地近兩年產能增幅有限,IT之家整理如下:


中國臺灣地區

韓國

日本

美洲

歐洲及中東

東南亞

2025 年產能

580

540

470

320

270

180

2025 年同比增幅

4%

7%

3%

5%

4%

4%

產能單位均為月萬片 8 英寸晶圓當量


按領域劃分,邏輯半導體代工產能將在英特爾和中國企業產能擴張的推動下,于 2024~2025 年實現 10% 和 11% 的增幅,到 2026 年將達每月 1270 萬片晶圓。


其中 5nm 及以下先進工藝的產能漲幅將勝于整體邏輯半導體,分別達 13% 和 17%,這主要受到生成式 AI 芯片需求和 2nm GAA 工藝進入量產階段的影響。


隨著人工智能服務器用 HBM 內存從 8 層堆疊向 12 乃至 16 層堆疊轉移,相關 DRAM 裸片需求不斷提升;


端側人工智能應用的興起帶動主流智能手機內存容量從 8GB 增加到 12GB;


此外配備人工智能助手的筆記本電腦也至少要配備 16GB DRAM 內存。


上述多方面的因素促使 DRAM 領域廠商追加相關投資,2024 和 2025 年的 DRAM 產能漲幅均將達到 9%。


SEMI 認為,3D NAND 閃存市場的復蘇仍然緩慢,NAND 領域今年不會出現產能增長,明年的漲幅也僅有 5%。


SEMI 總裁兼首席執行官阿吉特?馬諾查(Ajit Manocha)表示:


從云計算到邊緣設備,人工智能處理的激增正在推動高性能芯片的開發競賽,并推動全球半導體制造能力的強勁擴張。

這創造了一個良性循環:人工智能將推動半導體內容在各種應用領域的增長,而這反過來又會鼓勵進一步的投資。