目前全球最先進(jìn)的芯片技術(shù)，是臺(tái)積電的3nm，三星的3nm。至于其它晶圓廠，都沒有這技術(shù)。

當(dāng)然，關(guān)于它究竟是真3nm，還是假3nm，外界一直有各種猜測和懷疑，但真理掌握在臺(tái)積電手中，他說3nm，就是3nm，你參奈何？

所以intel后來都沒辦法，將自己的工藝全部改名，改成什么intel7、intel4、intel3等等，來對應(yīng)臺(tái)積電有7nm、4nm、3nm工藝。

但其實(shí)啊，這些工藝還真不是什么7nm、4nm、3nm。

嚴(yán)格來講，intel的intel4、intel3實(shí)際上是intel的7nm工藝，只不過intel認(rèn)為它可以對標(biāo)臺(tái)積電的3nm，所以改成一樣而已。

而近日，intel公布的intel3工藝相關(guān)參數(shù)指標(biāo)，發(fā)現(xiàn)它確實(shí)是和臺(tái)積電的N3是一致的，但雖然它叫intel3，實(shí)際上是7nm工藝。

首先啊，與intel4相比，intel3提升了18%性能的同時(shí)提升了14%的邏輯晶體管密度。相對應(yīng)之下，臺(tái)積電N3對比N4，可是只提升了15%左右的性能。

其次，在金屬間距方面，臺(tái)積電的N3對應(yīng)的是45nm，而intel的intel3，對應(yīng)的是42nm。

接著我們來看一個(gè)很重要的參數(shù)，那就是晶體管密度，如下圖所示，intel4是123.4MTr/MM2，也就是1.234億個(gè)每平方毫米。

而臺(tái)積電的3nm是1.24億個(gè)每平方毫米，intel4和臺(tái)積電的N3差不多，而intel3則更強(qiáng)一點(diǎn)，晶體管數(shù)量更多。

由此可見，intel的intel3工藝，其實(shí)就是臺(tái)積電的N3工藝，英特爾之前是將它叫做7nm的，后來看到臺(tái)積電、三星們喜歡將數(shù)字改的越小越好，所以intel也打加入了這個(gè)命名大法中，改成了intel3，說是3nm。

由此可見，什么intel20應(yīng)對臺(tái)積電2nm，以及intel14對應(yīng)臺(tái)積電的1.4nm等，都不是真正的XX納米，只是這么叫而已。

事實(shí)上，我們要知道一個(gè)事實(shí)，那就從14nm之后，所謂的XX納米基本上都不是真的XX納米了，而是一種營銷上的說法。

以前intel還想實(shí)事求是，是多少就是多少，搞的工藝一直落后于臺(tái)積電、三星，intel一直在14nm、10nm上打磨，搞出了14nm、14nm+、14nm++、14nm+++……

要是按照之前的搞法，估計(jì)intel進(jìn)入不了5nm，會(huì)一直是7nm、7nm+、7nm++、7nm+++、7nm++++……

只不過后來intel開竅了，既然友商們通過改名大法，讓業(yè)界覺得對方技術(shù)最先進(jìn)，那么自己為何不仿效呢，改個(gè)名而已嘛，于是intel不再死守本份，也就有了一系列什么intel7、intel4、intel3、intel20A等等命名了。

這不，英特爾說自己今年就會(huì)推出intel20A，也就是2nm，要領(lǐng)先臺(tái)積電、三星，看來intel終于學(xué)到了提升工藝的真諦了，那就是改名大法。