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全球首次,日本企業成功量產 100 毫米氧化鎵晶圓

2021-06-17 來源:中電網
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如今市面上許多智能手機、電腦充電器均采用了 GaN 氮化鎵功率芯片,實現了高功率密度,大幅減小產品體積。根據日經中文網消息,日本企業 Novel Crystal Technology 近日成功量產新一代功率半導體材料“氧化鎵”制成的 100mm 晶圓。


這家公司由電子零部件企業田村制作所和 AGC 出資成立,該產品將在年內量產供應客戶。這家公司僅供應 100mm 晶圓,購買者需要利用自家的設備進行切割并封裝成芯片。

目前的功率半導體材料主要包括碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN 等,該公司表示,氧化鎵晶圓的價格比碳化硅 SiC 晶圓價格低,而且可以更加有效地控制電力。

新型碳化硅、氮化鎵等功率元件不僅可以用于充電器,還可用于通信基站、高鐵、工業設備以及電動汽車等場景,日本氧化鎵晶圓的量產,有利于進一步降低電子設備成本,提高效率。