業(yè)內(nèi)預(yù)計NAND閃存價格或上漲高達(dá)30%
關(guān)鍵詞: NAND閃存漲價 DDRAM漲價 內(nèi)存供應(yīng)短缺 AI需求增長 DDR4短缺
據(jù)報道,隨著閃迪宣布將其NAND閃存產(chǎn)品提價10%,多家內(nèi)存制造商也迅速采取了類似的漲價策略。這表明在預(yù)計從 2026 年開始出現(xiàn)供應(yīng)短缺的情況下,整個行業(yè)將朝著提高價格的方向發(fā)展。美光已暫停NAND閃存和DRAM報價一周,市場消息人士預(yù)計NAND閃存價格可能上漲高達(dá)30%。
群聯(lián)電子也暫停了價格更新,等待NAND供應(yīng)商的進(jìn)一步指示。業(yè)內(nèi)普遍將此舉解讀為價格談判進(jìn)程的初步進(jìn)展。報道指出,美光計劃的漲價幅度可能遠(yuǎn)超閃迪最初10%的漲幅,預(yù)計漲幅在10%至30%之間。
價格暫停和上漲不僅局限于NAND,也延伸至DRAM產(chǎn)品。據(jù)中國臺灣存儲器公司稱,美光已口頭通知稱,DRAM(包括 DDR4、DDR5、LPDDR4 和 LPDDR5)將暫停定價約一周,取消先前商定的價格。根據(jù)歷史趨勢,分析師預(yù)計DRAM價格將至少上漲10%,而汽車電子等某些領(lǐng)域的漲幅可能高達(dá)70%。
內(nèi)存供應(yīng)鏈指出,DDR4的短缺已經(jīng)推動了顯著的價格上漲勢頭,而DDR5的價格也在穩(wěn)步上漲。預(yù)計2025年末典型的季節(jié)性價格放緩可能會被持續(xù)或加劇的價格壓力所取代,這主要得益于CSP對AI ASIC和基礎(chǔ)設(shè)施的投資。預(yù)計這種需求激增將在2026年大幅增加服務(wù)器NAND閃存的消費量,從而加劇明年下半年的供應(yīng)緊張。(校對/李梅)
