氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領導者Navitas Semiconductor（納斯達克代碼：NVTS）宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心，進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計快 3 倍，節(jié)能高達 70%。據估計，氮化鎵OBC、DC-DC 轉換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續(xù)航里程，或將電池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來到。據估計，到 2050 年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少 20%，這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標。

氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術的前沿，其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快 20 倍。Navitas 的GaNFast? 功率芯片集成了GaN 電源、GaN 驅動、保護和控制。高速和高效率已成為節(jié)能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標準。

新的設計中心位于中國上海，擁有一支經驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設計師團隊，他們在電氣、熱力和機械設計、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內為電動汽車客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認證和大規(guī)模生產。

著名電動汽車行業(yè)專家、上海設計中心新任高級總監(jiān)孫浩先生表示：“設計中心將為全功能、可產品化的電動汽車動力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。Navitas 將與 OBC、DC-DC 和牽引系統(tǒng)公司合作，創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級解決方案，以推動GaN 進入主流電動汽車。”

為 EV 應用量身定制的高功率650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客戶提供樣品。在最近的小米產投日活動上，納微展示了 6.6kW OBC 概念模型，后在CES 上也進行了展示。

“納微半導體電動汽車團隊在提供動力系統(tǒng)方面擁有豐富的人才和成熟的經驗，”納微半導體副總裁兼中國區(qū)總經理查瑩杰表示。“對于 GaN 來說，電動汽車是一個令人興奮的擴展市場，估計每輛 EV 內，氮化鎵的潛在價值為 250 美元。逐個市場來看，Navitas 正在快速推進到更高功率的應用，例如電動汽車、數(shù)據中心和太陽能。”

制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量優(yōu)勢，每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約 4 公斤的二氧化碳。總體而言，到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton的二氧化碳排放量減少問題。