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MOSFET米勒平臺原理與應對
#功率電子 #MOSFET #米勒效應
2025-07-01
閱讀:714
關鍵詞:
米勒平臺
MOSFET
IGBT
米勒效應
開關特性
深愛 F系列高壓MOSFET ---卓越耐壓與高性價比的平衡之道
在高壓應用領域,深愛對FLR和FP技術進行了深度優化。深愛半導體F系列高壓MOSFET通過創新的VLD+浮空場板復合終端設計實現了終端結構參數的精確優化、嚴格的工藝過程控制、量產穩定性和一致性的保障,為客戶提供了高可靠性、高性價比的功率器件解決方案。
2025-06-19
閱讀:133
關鍵詞:
高壓MOS
終端結構設計
VLD技術
浮空場板
深愛半導體
FR MOS反向恢復特性
關鍵詞:FR MOS,反向恢復,Trr,Qrr
2025-06-10
閱讀:524
關鍵詞:
MOSFET
反向恢復特性
反向恢復參數
開關損耗
電路設計
為電機驅動“減壓” 深愛快恢復高壓平面MOS:Trr<100nS
深愛半導體特推出2-12N / 500-600V高壓平面型FR MOS系列,為電機驅動減壓!其優秀的反向恢復特性,對電路的可靠性、EMC及溫度起著至關重要的作用。同時也有利于電路的工作頻率提升,優化電機工作效率。
2025-05-16
閱讀:857
關鍵詞:
FR MOS
電機驅動
反向恢復
Trr
輻照與擴鉑工藝
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