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深圳深愛半導體股份有限公司

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MOSFET米勒平臺原理與應對

#功率電子 #MOSFET #米勒效應

2025-07-01 閱讀：714 關鍵詞：米勒平臺 MOSFET IGBT 米勒效應開關特性
深愛 F系列高壓MOSFET ---卓越耐壓與高性價比的平衡之道

在高壓應用領域，深愛對FLR和FP技術進行了深度優化。深愛半導體F系列高壓MOSFET通過創新的VLD+浮空場板復合終端設計實現了終端結構參數的精確優化、嚴格的工藝過程控制、量產穩定性和一致性的保障，為客戶提供了高可靠性、高性價比的功率器件解決方案。

2025-06-19 閱讀：133 關鍵詞：高壓MOS 終端結構設計 VLD技術浮空場板深愛半導體
FR MOS反向恢復特性

關鍵詞：FR MOS，反向恢復，Trr，Qrr

2025-06-10 閱讀：524 關鍵詞： MOSFET 反向恢復特性反向恢復參數開關損耗電路設計
為電機驅動“減壓” 深愛快恢復高壓平面MOS：Trr<100nS

深愛半導體特推出2-12N / 500-600V高壓平面型FR MOS系列，為電機驅動減壓！其優秀的反向恢復特性，對電路的可靠性、EMC及溫度起著至關重要的作用。同時也有利于電路的工作頻率提升，優化電機工作效率。

2025-05-16 閱讀：857 關鍵詞： FR MOS 電機驅動反向恢復 Trr 輻照與擴鉑工藝

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