拔得頭籌!三星宣布3納米芯片正式開始量產(chǎn)
韓國三星電子周四宣布,公司已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片,是全球首家量產(chǎn)3納米芯片的公司。
三星在官方聲明中表示,公司已經(jīng)開始在其位于韓國的華城工廠大規(guī)模生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同,3納米芯片采用了新的 GAA(Gate All Around)晶體管架構(gòu),該架構(gòu)大大改善了功率效率。與傳統(tǒng)的5納米芯片相比,第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗,提高23%的性能,并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗,提高30%的性能,面積減少35%。
雖然三星沒有透露其最新代工技術(shù)的客戶身份,但市場預(yù)計,三星本身和中國芯片設(shè)計公司上海磐矽半導(dǎo)體將是3納米芯片的首批客戶。
三星3納米芯片量產(chǎn)使得其生產(chǎn)進(jìn)度略快于同行。在同業(yè)競爭方面,臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。
雖然三星是全球第一個生產(chǎn)3納米芯片的公司,但臺積電正計劃在2025年實現(xiàn)2納米芯片的全球首個批量生產(chǎn)。
在本月初的股東會上,臺積電董事長劉德音才強(qiáng)調(diào),臺積電的先進(jìn)制程的進(jìn)展都按照計劃發(fā)展中,預(yù)計2022下半年將量產(chǎn)3納米芯片。與三星不同的是,臺積電將仍采較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor,F(xiàn)inFET)工藝。一直到2025年量產(chǎn)2納米時,才會采用GAA技術(shù)。
在市場份額方面,臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù),目前臺積電控制著全球54%的芯片合同生產(chǎn)市場,三星以16.3%的市場份額排名第二。
