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中國芯的現狀:設計、封測與制造,可能有10年的差距

2023-01-09 來源:互聯網亂侃秀
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關鍵詞: 華為海思 集成電路 光刻機

作為科技產業,以及信息化、數字化的基礎,芯片自誕生以來,就一直倍受關注,也一直蓬勃發展。

而這幾年,由于美國想切斷全球芯片供應鏈,打破全球供應鏈一體化的格局,引發了全球的恐慌,所以我們看到全球各國都在打造芯片產業鏈,想要盡量擺脫或減少對美國的依賴。

而中國就更加不例外了,畢竟我們就是美國重點打壓的對象之一。

這幾年, 國內在半導體材料、設備、技術等方面,不斷突破,但與此同時,我們也發現了一個比較尷尬的事實,那就是當前芯片制造的三大流程中,設計、封測與全球頂尖水平是基本同步的,但制造卻落后了可能有10年的差距。

先說設計,當前國際上最先進的芯片設計水平是3nm,而國內也擁有同等的水平,華為麒麟雖然無法量產,但華為的研發一直沒斷,與全球頂尖水平是同步的。

另外三星量產3nm時,國內的廠商是第一批客戶,也說明國內早有3nm芯片的設計能力。

再說封測這一塊,國內有三大封測廠商,排名全球前10,分別是長電科技、通富微電、天水華天,這三大封測企業在全球的排名分別是第3、5、6名。

這三大企業也表示自己擁有了4nm芯片的封測技術,至于3nm,因為也剛量產,所以沒有表示,但考慮到封測的門檻并不高,所以這三大企業同步實現3nm的封測,也沒問題。

最落后的就是芯片制造這一塊了,大陸最強的芯片制造企業是中芯,當前對外公開的,已經量產的工藝是14nm,2019年就已經量產了。

不過由于缺EUV光刻機,然后就卡在14nm了,而2022年被拉入黑名單,進一步限制了先進工藝設備的進口,估計工藝突破,目前而言是比較困難了,所以中芯當前的策略,很明顯是在提升成熟工藝產能,先解決國內晶圓產能的缺口,慢慢徐之。

而全球頂尖的芯片工藝是3nm,從14nm到3nm工藝。那么從14nm到3nm,需要多久的時間?我們參考下臺積電、三星、英特爾這三大巨頭。

臺積電于2015年實現了16nm,然后2023年實現了3nm,間隔了8年時間,三星的時間大致也是如此,也是大約8年的時間。至于intel,從14nm到3nm,花的時間會更久,預計會在9年左右。

所以中芯要提升到3nm,就算先進設備不受限制,估計都得10年左右,目前先進設備以及一些技術還受限制,10年都不一定追上來。

所以整體來看,當前國內最應該補的短板,就是芯片制造能力,只要制造能力提升上來,設計、封測都不是問題,隨時能夠等同國際頂尖水平。



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