據BusinessKorea報道，當地時間6月26日，在加州硅谷舉行的三星晶圓代工論壇2023上，三星電子公布了量產2nm工藝半導體的具體時間表和戰略。

根據該戰略，三星電子將于2025年開始量產2nm工藝半導體，重點關注移動領域。隨后，計劃在2026年擴展到高性能計算（HPC）工藝，并在2027年擴展到汽車工藝。與3nm相比，2nm工藝半導體的性能提高了12％，功率效率提高了25％。三星還確認，計劃按計劃于 2027 年開始量產 1.4 nm工藝。

三星代工業務部總裁 Choi Si-young 在主題演講中表示：“三星電子將繼續創新 GAA 晶體管技術，這是最適合 AI 半導體的下一代晶體管，以確保市場主動權。”

此外，三星還計劃通過擴大先進2nm工藝的應用以及成立MDI聯盟來增強其代工業務競爭力。通過MDI聯盟，三星將向IP合作伙伴提供開發先進半導體設計資產（IP）所需的代工工藝信息。這些IP合作伙伴將開發針對三星代工工藝優化的IP，并將其提供給國內外的無晶圓廠客戶。通常，IP 開發和驗證至少需要兩年到兩年半的時間。然而，通過MDI聯盟，三星似乎正在將從半導體開發到量產的時間從目前的大約三年半到五年縮短到一年半到兩年。

三星的戰略是通過與IP合作伙伴的合作，搶先獲得人工智能、GPU、HPC、汽車和所有移動領域所需的核心IP，并吸引新的無晶圓廠客戶。