近日，眾多媒體報(bào)道稱，華為又有了一項(xiàng)新的專利，專利號(hào)是CN116504752A，專利名稱為“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備”。

再加上前一段時(shí)間，網(wǎng)上有傳聞，華為麒麟芯片或回歸，于是很多人將這兩個(gè)消息結(jié)合在一起，表示華為接下來(lái)，或采用國(guó)產(chǎn)14nm工藝，采用堆疊技術(shù)，將2顆14nm的芯片，堆疊在一起，實(shí)現(xiàn)等于甚至強(qiáng)于7nm芯片的性能。

這種猜測(cè)，讓網(wǎng)友們興奮不已，覺(jué)得一旦通過(guò)這種技術(shù)擁有7nm芯片的性能，那美國(guó)的打壓就徹底失效了，華為5G麒麟芯片會(huì)王者歸來(lái)，華為手機(jī)也會(huì)王者歸來(lái)。

當(dāng)然，在我看來(lái)，這只是猜測(cè)，并且很明顯這種猜測(cè)沒(méi)什么根據(jù)，因?yàn)橐?顆14nm芯片堆疊，實(shí)現(xiàn)7nm芯片的性能，實(shí)在太難了，不信我給大家分析一下就懂了。

芯片的性能，最終還是取決于晶體管的數(shù)量，因?yàn)橐粋€(gè)晶體管代表的就是開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)越多，性能就越強(qiáng)。

芯片不斷的提升工藝，其實(shí)就是提升晶體管密度，在同樣大小的芯片里面，放置更多的晶體管，所以性能也提升了。

先說(shuō)說(shuō)中芯的14nm工藝，晶體管密度約為30MTr/mm，即每平方毫米達(dá)到3000萬(wàn)個(gè)。而臺(tái)積電的7nm工藝，晶體管密度約為97MTr/mm，即每平方毫米達(dá)到9700萬(wàn)個(gè)，密度是14nm的3倍多。

怎么理解呢？即如果14nm工藝，需要達(dá)到7nm工藝的性能，即兩塊芯片中的晶體管一樣，在14nm工藝下，需要3倍面積于7nm工藝才行。

也就是說(shuō)需要3顆14nm芯片，堆疊在一起，才能夠?qū)崿F(xiàn)1顆7nm芯片的性能（晶體管數(shù)量一樣多）。

3顆14nm的芯片堆疊在一起，如果平攤，則是3倍于7nm芯片的面積，如果上下堆疊，則是3倍于7nm芯片的高度，這樣面積或體積的加大，一般的手機(jī)可不一定裝的下。

另外3顆14nm芯片的功耗，可能是1顆7nm芯片功耗的好幾倍，按照專業(yè)人士的說(shuō)法，14nm芯片本身功耗可能就是7nm芯片的2倍以上，而3顆再堆疊到一起，功耗就是6倍了。

這個(gè)發(fā)熱，功耗，真的能夠抗得住么？特別是手機(jī)芯片，手機(jī)對(duì)性能、功耗、發(fā)熱要求可太高了。

事實(shí)上，芯片堆疊技術(shù)方案難題不僅要考慮性能、功耗等，還要考慮發(fā)熱、電氣互聯(lián)、封裝和測(cè)試、制造技術(shù)等等，并不是理論想象的這么簡(jiǎn)單。

所以，大家對(duì)于這種2顆14nm芯片堆疊，實(shí)現(xiàn)7nm芯片性能的事情，隨便看看就好，不必太認(rèn)真了。