12 月 27 日消息，佳能今年 10 月宣布 FPA-1200NZ2C，這是一款納米壓印光刻（NIL）半導體設備。

佳能社長御手洗富士夫近日表示，納米壓印光刻技術的問世，為小型半導體制造商生產先進芯片開辟了一條新的途徑。

佳能半導體設備業(yè)務經理巖本和德表示，納米壓印光刻是指將帶有半導體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，只需一個印記，就可以在適當的位置形成復雜的 2D 或 3D 電路圖案，因此只需要不斷改進掩模，甚至能生產 2nm 芯片。

據報道，佳能的納米壓印光刻技術能夠產生至少 5 納米工藝尺寸的芯片，在目前由 ASML 主導的先進半導體制造設備市場，佳能的這項技術可以不斷縮小和 ASML 的差距。

巖本和德在設備成本上表示，由于客戶成本都不相同，單個壓印工藝的估計成本最低可以達到傳統(tǒng)光刻設備工藝的一半。

今年 11 月報道，御手洗富士夫表示：“NIL 產品的價格比 ASML 的 EUV 少 1 位數”。

佳能與日本印刷綜合企業(yè)大日本印刷株式會社（Dai Nippon Printing Co.）以及存儲芯片制造商鎧俠控股（Kioxia Holdings Corp.）合作研究納米壓印技術已有近十年的時間。

與通過反射光工作的極紫外光刻技術不同，佳能研究的納米壓印技術是將電路圖案直接印在晶圓上，從而制造出據稱幾何形狀與最先進節(jié)點相當的芯片，但速度要慢得多。

這種新設備有望讓芯片制造商降低對芯片代工廠的依賴，同時也讓臺積電和三星電子等芯片代工廠更有可能批量生產芯片。佳能表示，這種機器所需功率只有 EUV 同類產品的十分之一。

佳能此前一直專注于制造普通芯片，2014 年開始大力投資納米印記技術，收購了主攻納米壓印技術的分子壓模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作為臺積電的供應商之一，佳能正在東京北部的宇都宮市建設 20 年來的第一家光刻設備新工廠，將于 2025 年投產。

巖本和德在接受日經采訪時表示，佳能目前收到了來自半導體制造商、大學和研究機構的大量詢問，客戶預估該技術可以作為 EUV 的替代品，有望生產包括閃存、個人計算機的 DRAM 和邏輯 IC 等各種半導體。